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硅抛光片表面颗粒度控制

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硅抛光片表面颗粒度控制

武永超;杨洪星;张伟才;宋晶;赵权

【期刊名称】《电子工业专用设备》 【年(卷),期】2010(039)010

【摘要】硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍.探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法.第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响:第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响.

【总页数】4页(20-22,47)

【关键词】兆声波清洗;硅片湿法化学清洗;颗粒去除 【作者】武永超;杨洪星;张伟才;宋晶;赵权

【作者单位】中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 【正文语种】中文 【中图分类】TN305.2 【相关文献】

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硅抛光片表面颗粒度控制

硅抛光片表面颗粒度控制武永超;杨洪星;张伟才;宋晶;赵权【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2010(039)010【摘要】硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍.探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法
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