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?Nc? En?k0T?ln??n?0?????????2.8?1019 ?0.026?ln??7?1016? ?0.1558(eV)则
Ws?Wmq???En??Wm ?q ??4.05?0.1558??4.3 ??0.0942(V)
答：半导体的表面势为 – V。
6-6、解：
（1） 金属与n半导体接触形成阻挡层的条件是Wm>Ws,其接触后的能带图如图
所示：
Vs?
金属与n半导体接触形成反阻挡层的条件是Wm （2） 金属与p半导体接触形成阻挡层的条件是Wm 所示： 金属与p半导体接触形成反阻挡层的条件是Wm>Ws,其接触后的能带图如图所示： 6-8、答：当金属与n型半导体形成整流接触时，加上正向电压，空穴从金属流向半导体的现象就是少数载流子注入效应。它本质上是半导体价带顶附近的电子流向金属中金属费米能级以下的空能级，从而在价带顶附近产生空穴。小注入时，注入比（少数载流子电流与总电流直之比）很小；在大电流条件下，注入比随电流密度增加而增大。 6-9、解： xD??2?r?0?V?VD?qND2?11.98.854?10?12?4?0.64?1.6?10?192.5?1016???????4.2?10?3?m? -3答：势垒的宽度约为×10m。 6-10、解：当金属和半导体接触接触时，如果对半导体的掺杂很高，将会使得势垒区的宽度变得很薄，势垒区近似为透明，当隧道电流占主要地位时，其接触电阻很小，金属与半导体接触近似为欧姆接触。加上正、反向电压时的能带图如下图所示： 第六篇 -半导体表面与MIS结构题解 1. 解释什么是表面积累、表面耗尽和表面反型 2. 在由n型半导体组成的MIS结构上加电压Vg，分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况，并解释其C－V曲线。 3.试述影响平带电压VFB的因素。 7-1、解： 而 ?r?0dQQC?????1??2?因为C??mm?od0dVGVo Cs?dQm????3?dVs ?C?VG?Vs?V0dQmdQm11???dVsdVo11dVGdVs?dVo??dQmdQmCoCs 所以111????4?CCoCs 又因为 7-3、解： （1） 表面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就 是表面积累，其能带图和电荷分布如图所示： （2） 表面耗尽：当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零 时，这就是表面耗尽，其能带图和电荷分布如图所示： （3）当金属表面所加的电压使得半导体表面的少子浓度比多子浓度多时，这就 是表面反型，其能带图和电荷分布如图所示： 7-3、解：理想MIS结构的高频、低频电容-电压特性曲线如图所示； 其中AB段对应表面积累，C到D段为表面耗尽，GH和EF对应表面反型。
半导体物理答案
