计算机学校 —— 计算机组装与维护 课件制作:孙波
第五节、计算机内部硬件内存
一、 内存条的简介
计算机的存储器由两大部份组成内存和外存 ,外存主要有硬
盘、光盘等。计算机硬盘(或者是软盘和CD–ROM)就像是个文件柜,桌面就相当于电脑的内存,桌面越大,可以摆放的文件数量就越多,使用者就不必经常打开文件柜抽取或存放文件,这样它的工作效率也就会提高。同理内存越大,计算机的速度也越快。
内存的主要作用是用来临时存放数据,再与CPU协调工作,从而提高整机性能。内存作为个人计算机硬件的必要组成部分之一,其地位越来越重要,内存的容量与性能已成为衡量计算机整体性能的一个决定性因素。
在内存中最小的物理单元是位,从本质上来讲,位是一个位于某种二值状态(通常是0和1)下的电气单元。八位组成一个字节,这样组合的可能有256种(2的8次方)。字节是内存可访问的最基本单元,每个这样的组合可代表单独的一个数据字符或指令。
二、 内存条的分类
内存(Memory)也称内部存储器或主存,按照内存的工作原理
主要分为两类。
早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、SDRAM、RDRAM,目前主板常见的有DDR、DDR2内存。
当前,内存条的封装方式有184线、200线、240线等多种。168线、 184线已淘汰。下图:SD-168线内存条
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DDR2-240线内存条 (一)、RAM(Random Access Memory)
随机存取存储器,用来暂时存放程序和数据,其特点是存储的数据在掉电后会丢失。系统运行时,首先将指令和数据从外部存储器(外存)中调入内存,CPU再从内存中读取指令和数据进行运算,并将运算结果存入内存中。它又分为两种。 1、动态随机存取存储器(DRAM,Dynamic RAM)
DRAM主要应用在计算机中的主存储器中,如内存条由此构成 特点:集成度高,结构简单,功耗低,生产成本低。 2、静态随机存取存储器(SRAM,Static RAM)
SRAM主要应用在计算机中的高速小容量存储器,如CACHE则是由此构成
特点:结构相对复杂,造价高,速度快。 (二)、ROM(Read Only Memory)
只读存储器,特点:只能从中读取信息而不能任意写入信息。一般用于保存不可更改的数据,如BIOS。可分为以下三种: ⑴.EPROM :可擦可编程只读存储器,芯片上有一个透明窗口。 ⑵.EEPROM:电可擦可编程只读存储器。
⑶.闪速存储器Flash Memory:可以将BIOS存储在其中,当需
要时可以利用软件来自动升级和修改BIOS,较为方便。
三、 内存接口标准
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内存条的接口类型有SIMM、DIMM和RIMM等3种。
SIMM(Single Inline Memory Module,单列直插内存模块)就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构,它多用于早期的FPM和EDD DRAM
DIMM(Dual Inline Memory Module,双列直插内存模块)与SIMM相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。 SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构 ; DDR2 DIMM为240pin DIMM结构。
RIMM(Rambus Inline Memory Module)是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型
四、 内存技术指标
1、存储速度
内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示,单位为纳秒,记为ns,1秒=10亿纳秒,即1纳秒=10ˉ9秒。 ns和MHz之间的换算关系如下: 1ns=1000MHz 6ns=166MHz 7ns=143MHz 10ns=100MHz 2、存储容量
目前常见的内存存储容量单条为128MB、256MB、512MB,当然也有单条1GB的,内存,不过其价格较高,普通用户少有使用。
3、CL
CL是CAS Lstency的缩写,即CAS延迟时间,是指内存纵向地址脉冲的反应时间,是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。对于PC1600和PC2100的内存来说,其规定的CL应该为2,即他读取数据的延迟时间是两个时钟周期。
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4、SPD芯片
SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器)芯片.位置一般处在内存条正面的右侧,里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开机时,计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。 6、内存带宽
即内存数据传输速率。 内存带宽的确定方式为: B表示带宽、F表于存储器时钟频率、D表示存储器数据总线位数,则带宽B=F*D/8
如常见100MHz的SDRAM内存的带宽=100MHz*64bit/8=800MB/秒
常见133MHz的SDRAM内存的带宽=133MHz*64bit/8=1064MB/秒 7、内存电压
内存正常工作所需要的电压值,SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右,上下浮动额度不超过0.3伏;DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右,上下浮动额度不超过0.2伏;而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。
五、 内存选配指南
1.不要贪高求贵,量力而行。
如果不考虑以后主板或CPU等系统的升级,最好是量体裁衣,不要一昧求高频率、高容量。
就目前水平,一般选择容量512M即可,如果要作图形图像处理或运行大型3D游戏,可选择更大一些的容量。 2.注意速度同FSB的搭配
目前CPU常见的FSB为533MHHZ、800MHZ、1000MHZ、1066MHZ。可参考下表。 FSB 内存
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533MHZ DDR266,如主板支持双通道,则选两条正好匹配。 800MHZ DDR400,如主板支持双通道,则选两条正好匹配。 如板支持DDRII,可选DDRII400、DDRII533或更高 总之,在同FSB的搭配上,内存的总传输率同FSB要大致相当(同频内存传输率双通道为单通道的两倍)。 3)注意同主板搭配
在同主板的搭配上,要注意,当前不是所有主板都支持DDRII,例如Intel平台主板,915以前的芯片组系列是不支持DRRII的;而AMD平台主板比较好判定:754和939接口的主板都不支持DDRII,今年(06)开始流行AM2接口的主板都支持。
六. 内存芯片编号
以下分别列出了几种常见内存颗粒的编号,希望对您选购内存有所帮助。 1、 HYUNDAI (现代)
“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 ·“5D”是内存芯片类型为DDR,57则为SD类型。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
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