模拟cmos集成电路设计课后答案中文
【篇一：北邮模拟cmos集成电路设计实验报告】
=txt>姓名 学院 专业 班级 学号 班内序号 实验一:共源级放大器性能分析 一、实验目的
1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；
3、输入共源级放大器电路并对其进行dc、ac分析，绘制曲线； 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响 二、实验要求
1、启动synopsys，建立库及cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。
4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。 三、实验结果 1、电路图 2、仿真图
四、实验结果分析 器件参数：
nmos管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pf，rd=10k。 实验结果：
输入交流电源电压为1v，所得增益为12db。 由仿真结果有：gm=496u，r=10k，所以增益av=496*10/1000=4.96=13.91 db 实验二:差分放大器设计 一、实验目的
1.掌握差分放大器的设计方法；
2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。 二、实验要求
1.确定放大电路； 2.确定静态工作点q； 3.确定电路其他参数。 4.电压放大倍数大于20db，尽量增大gbw，设计差分放大器； 5.对所设计电路进行设计、调试；
6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。
三、实验结果
随着r的增加，增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽的特性，w/l增大时，带宽会下降。为保证带宽， 选取w/l=30，r=30k的情况下的数值，保证了带宽，可以符合系统的功能特性，实验结果见下图。 1.电路图
【篇二：集成电路设计王志功习题答案1-5章】
划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？
晶体管-分立元件-ssi-msi-lsi-vlsi-ulsi-gsi-soc。moore定律
2． 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：ic产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计
3． 多项目晶圆（mpw）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？
mpw：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4． 集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 ch2
1． 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．gaas和inp材料各有哪些特点? p10,11
3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？
接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触
4．说出多晶硅在cmos工艺中的作用。 p13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 gaas/algaas, inp/ ingaas, si/sige,
6．soi材料是怎样形成的，有什么特点?
soi绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？
肖特基接触：阻挡层具有类似pn结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和mos晶体管的工作原理。p19,21 ch3
1． 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长
2．写出掩膜在ic制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。p28,29
3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？ 作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。
4．x射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ x 射线（x-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束
扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高
5． 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复
6．列出干法和湿法氧化法形成sio2的化学反应式。 干氧si?o2?sio2湿氧si?2h2o?sio2?2h2 ch4
1．si工艺和gaas工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？ 见表4.1 2．比较cmos工艺和gaas工艺的特点。
cmos工艺技术成熟，功耗低。gaas工艺技术不成熟，工作频率高。 3. 什么是mos工艺的特征尺寸？
工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。
4. 为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为cmos工艺的主流技术？
铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（mask step），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。
5. 为什么在栅长相同的情况下nmos管速度要高于pmos管？ 因为电子的迁移率大于空穴的迁移率
6．简述cmos工艺的基本工艺流程。p.52
7．常规n-well cmos工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？ p50表4.3 ch5
1． 说出mosfet的基本结构。
mosfet由两个pn结和一个mos电容组成。 2． 写出mosfet的基本电流方程。 ?ox?
tox?l[(vgs?vt)vds?2vds] 2
3． mosfet的饱和电流取决于哪些参数？
饱和电流取决于栅极宽度w，栅极长度l，栅-源之间压降vgs，阈值电压vt，氧化层厚度tox，氧化层介电常数?ox 4． 为什么说mosfet是平方率器件？ 因为mosfet的饱和电流具有平方特性
5． 什么是mosfet的阈值电压？它受哪些因素影响？
阈值电压就是将栅极下面的si表面从p型si变成n型si所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，sio2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的 影响，界面势阱的影响
6． 什么是mos器件的体效应？
由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。
7． 说明l、w对mosfet的速度、功耗、驱动能力的影响。 p70，71
8． mosfet按比例收缩后对器件特性有什么影响?
ids不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，减少功耗 9． mosfet存在哪些二阶效应？分别是由什么原因引起的？ p.70-73 沟道长度调制效应，体效应，亚阈值效应 10．说明mosfet噪声的来源、成因及减小的方法。
【篇三：cmos模拟集成电路设计_实验报告】
lass=txt>实验题目：cmos模拟集成电路实验 姓名：何明枢 班级：班内序号：学号：指导老师：韩可 日期： 日星期六
北京邮电大学电子工程学院2013211207班何明枢 cmos模拟集成电路与设计实验报告 目录
实验一:共源级放大器性能分
析 ..................................................................................................... 1
一、实验目
的 ........................................................................................................................... 1 二、实验内
容 ........................................................................................................................... 1 三、实验结
果 ........................................................................................................................... 1 四、实验结果分
析 ................................................................................................................... 3
实验二:差分放大器设
计................................................................................................................. 4
一、实验目
的 ........................................................................................................................... 4 二、实验要
求 ........................................................................................................................... 4 三、实验原
理 ........................................................................................................................... 4
模拟cmos集成电路设计课后答案中文
