Mg在BaTiO3瓷中抗还原机理研究

Mg在BaTiO3瓷中抗还原机理研究

湛灿辉;江涛;卢振亚

【期刊名称】《电子元件与材料》 【年(卷),期】2003(022)003

【摘要】研究Mg在BaTiO3瓷中的抗还原作用.采用CO、CO2还原气氛中烧结制作不同含Mg量(摩尔分数为0.05%～0.25 %)BaTiO3瓷试样.实验结果表明含Mg的BaTiO3瓷比不含Mg的BaTiO3瓷体积电阻率高8～9数量级.试样XRD谱线计算,晶胞参数a,c随Mg含量的增加而增大,电子探针显示Mg均匀分布.显微结构分析推断,Mg既固溶于A位(MgBa)又固溶于B位(MgTi),杂质缺陷结构(MgTI)的受主电离复合还原气氛产生的氧缺位(VO)的施主电离,从而大大降低了施主电离的电子浓度.因此,MgTi的存在是BaTiO3瓷抗还原的本质. 【总页数】3页(25-27)

【关键词】钛酸钡瓷;抗还原机理;受主电离;施主电离 【作者】湛灿辉;江涛;卢振亚

【作者单位】华南理工大学电子材料与器件系,广东,广州,510640;华南理工大学电子材料与器件系,广东,广州,510640;华南理工大学电子材料与器件系,广东,广州,510640 【正文语种】中文 【中图分类】TM28 【相关文献】

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