碳化硅金刚线切割表面粗糙度的研究

碳化硅金刚线切割表面粗糙度的研究

袁立伟;张文斌

【期刊名称】《电子工业专用设备》 【年(卷),期】2011(040)011

【摘要】Silicon carbide is the tertiary semiconductor material. The SiC crystalbar is sliced into wafers by fixed abrasive Diamond wire saw in the experiment. The influences of each parameter on the surface roughness of the wafers are studied in the article. The process of slicing can be optimized by the result.%碳化硅是新兴的第三代半导体材料。用固定磨料金刚线切割机对其进行切割加工，分析了加工过程的各项参数对晶片表面粗糙度的影响，为优化碳化硅金刚线切割过程提出依据。 【总页数】4页(4-7)

【关键词】碳化硅;固定磨料金刚线切割;表面粗糙度 【作者】袁立伟;张文斌

【作者单位】中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601;中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601 【正文语种】中文 【中图分类】TN304.2 【相关文献】

1.电火花线切割加工氮化硅陶瓷表面粗糙度的研究 [J], 郭中杰; 贾志新; 洪卫 2.工程陶瓷复杂回转表面的线切割加工方法及表面粗糙度研究 [J], 杨兆军; 张立新; 王丽慧