哈尔滨工业大学
一九九九 年研究生考试试题
考试科目：半导体物理学 报考专业：微电子与固体电子学（半导体材料）
一、 说明下列概念或名词的物理意义（２０分）
１、 有效质量 ２、 载流子散时 ３、 状态密度 ４、 陷阱中心 ５、 光电导 ６、 空穴
７、 直接复合与间接复合
８、 少子寿命 ９、 热载流子 １０、受主杂质与施主杂质
二、 简述
１、 用能带论定性地说明导体，半导体和绝缘体的导电性（１０分） ２、 什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基本方法（１０分）
３、 耿氏振荡的机理（２０）
三、 已知在ＭＯＳ电容的ＳiO2层中存在着Ｎa正离子和介面固定电荷，请设计一种实
验方法测定两种电荷的面密度（库仑／厘米） （２０分）
四、 有一面积很大的半导体薄片，厚度为w，以稳定光源均匀照射两面，设光只在表面层内产生电子空穴对，在小注入条件下，ΔP(0)= P1 ; ΔP(W)= P2 。问：
1．片内非平衡载流子分布仅与时间有关，还是仅与空间位置有关？或与两者都有关？ （4分）
2．试确定片内非平衡载流子的分布？（16分）
一、解释下列名词或概念：（20分） 1、准费米能级 2、小注入条件 3、简并半导体 4、表面势 5、表面反型层
6、布里渊区 7、本征半导体 8、欧姆接触 9、平带电压 10、表面复合速度
二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（20分） 三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）
四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程
（20分）
五、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）
一、解释下列名词或概念：（20分） 1、准费米能级 2、小注入条件 3、简并半导体 4、表面势 5、表面反型层
6、施主与受主杂质 7、本征半导体 8、光电导 9、深能级杂质 10、表面复合速度
二、画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半
导体存在界面态将分别对曲线有和影响？（20分） 三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）
四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程
《(最新)[哈尔滨工业大学]研究生入学真题汇总-半导体物理真题》
