表面等离子体共振传感芯片的制备及其使用方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201811018795.3 （22）申请日 2018.08.31

（71）申请人 中国科学院电子学研究所

地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号

（10）申请公布号 CN109239019A

（43）申请公布日 2019.01.18

（72）发明人 秦连松;陈兴;张璐璐;崔大付;徐春方;任艳飞 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 张成新

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

表面等离子体共振传感芯片的制备及其使用方法

（57）摘要

本发明提供一种表面等离子体共振传感芯

片的制备方法，该方法包括以下步骤：S1、清洗基片并烘干，在基片上制备一层铬膜；S2、在铬膜上制备一层介质层；以及S3、在介质层上形成一层金属层，金属层包括金层或银层，其中，介质层包括聚甲基丙甲酸甲酯、IR?140染料以及二氯甲烷，介质层用于提高表面等离子体共振传感芯片的灵敏度，并扩大表面等离子体共振传感芯片的检测范围。本发明还提供一种利用上述方法

制备的表面等离子体共振传感芯片进行检测的方法。

法律状态

法律状态公告日

2019-01-18 2019-01-18 2019-02-19

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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公开 公开

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权利要求说明书

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