解：判断依据：NPN型：uBE>0，uBC<0，放大；uBE>0，uBC>0，饱和；uBE<0，uBC<0，截止。PNP型：uBE<0，uBC>0，放大；uBE<0，uBC<0，饱和；uBE>0，uBC>0，截止。+5V+0.7V+2V+12V-5.3V0V+10.75V+10.3V0V(a)+12V(b)-6V(c)+10V(d)放大截止放大饱和-5V+0.3V+4.7V+4.7V-1.3V-10V+11.7V+8V0V(e)+5V(f)-1V(g)+12V(h)截止临界饱和放大放大习题1-14已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的β均为50，UBE≈0.7V，试分别估算各电路中的iC和uCE，判断它们各自工作在哪个区（截止、放大或饱和），并将各管子的iC和uCE对应在输出特性曲线上的位置分别画在图P1-14(g)上。2k?20k?2V(a)IB?0.065mA10V200k?2k?10V(b)IB?0.0465mAIC?3.25mAUCE?3.55V三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中A点。IC?2.325mAUCE?5.35V三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中B点。2k?20k?10V(c)2k?20k?2V10VIB?0.465mAIC?23.25mAUCE??36.5V以上算出的IC与UCE值是荒谬的，实质上此时三极管巳工作在饱和区，故IB=0.465 mA，IC≈VCC/RC=5mA，UCE=UCES≈0.3V，见图P1-14(g)中C点。(d)IB?0IC?0UCE?VCC?10V三极管工作在截止区，见图P1-14(g)中D点。20k?20k?200k?10V(e)(c)10VIB?0IC?0UCE?VCC?10V三极管工作在截止区，见图P1-14(g)中E点（与D点重合）。IB?0.0465mAIC?2.325mAUCE?VCC?10V三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中F点。CABF图P1-14(g)D、E习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。13(+3V)2(+9V)(+3.2V)(a)13(-11V)2(-6V)(-6.7V)(a)解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1——发射极e，3——基级b，2——集电极c，三极管类型是NPN锗管。(b)2——发射极e，3——基级b，1——集电极c，三极管类型是PNP硅管。习题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值，以及当uDS=15V，uGS=4V时的跨导gm。uDS=15V由图可得，开启电压UGS(th)=2V，IDO=2.5mA，?iD4?1.2gm???2.8mS?uGS4.5?3.5习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS；如为增强型，标出其开启电压UGS(th)。(a)绝缘栅型N沟道增强型；(b)结型P沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P沟道增强型。习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)= +3V，IDO=4mA，请示意画出其转移特性曲线。习题1-18图习题1-19图习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS= -2.5mA，夹断电压UGS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。答：(a)无放大作用（发射结反偏）；(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；(e)有放大作用（是射极跟随器）；(f)无放大作用（输出交流接地）；(g)无放大作用（输入交流接地）；(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i)无放大作用（电源极性接反）；习题2-2试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设各电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。答：(a)Rb+VCCRcRe1Re2(a)直流通路+&Ui+Re1-RbRc&Uo-(a)交流通路R3R1R4+VCC++&UiR2R5-R1R2R4&Uo-(b)直流通路(b)交流通路
模拟电子技术基础简明教程 第三版 习题答案
