第3章 场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ? ）
（2）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（? ） 3-2选择正确答案填入空内。
（1）UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
（2）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
?、Ri和Ro 。 （1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解Au
图P3-4
解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P3-4（a）所示。
解图P3-4
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P3-4（b）所示。 （2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
gm??iD?uGSUDS??2UGS(off)IDSSIDQ?1mA/V
???gR??5 AumD Ri?Rg?1M?
Ro?RD?5k?3-5 已知图P3-5（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解
?。 电路的Q点和Au
图P3-5
解：（1）求Q点：
根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA
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