第3章 场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( ? )
(2)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。(? ) 3-2选择正确答案填入空内。
(1)UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解:(a)源极加电阻RS。 (b)漏极加电阻RD。 (c)输入端加耦合电容。
(d)在Rg支路加-VGG,+VDD改为-VDD
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
?、Ri和Ro 。 (1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解Au
图P3-4
解:(1)在转移特性中作直线uGS=-iDRS,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ=1mA,UGSQ=-2V。如解图P3-4(a)所示。
解图P3-4
在输出特性中作直流负载线uDS=VDD-iD(RD+RS),与UGSQ=-2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,UDSQ≈3V。如解图P3-4(b)所示。 (2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
gm??iD?uGSUDS??2UGS(off)IDSSIDQ?1mA/V
???gR??5 AumD Ri?Rg?1M?
Ro?RD?5k?3-5 已知图P3-5(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解
?。 电路的Q点和Au
图P3-5
解:(1)求Q点:
根据电路图可知, UGSQ=VGG=3V。 从转移特性查得,当UGSQ=3V时的漏极电流 IDQ=1mA
第3章--场效应管放大电路习题答案doc资料
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