BNT铁电薄膜电容的制备及其特性研究

BNT铁电薄膜电容的制备及其特性研究

王宁章;李兴教

【期刊名称】《电子元件与材料》 【年(卷),期】2005(024)007

【摘要】用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4-xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10 V时,Pr及Ec分别达到27×10-6C/cm2和70×103V/cm.在1 MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性. 【总页数】3页(41-43)

【关键词】电子技术;铁电薄膜;BNT;剩余极化;脉冲激光淀积 【作者】王宁章;李兴教

【作者单位】广西大学计算机与电子信息学院,广西,南宁,530004;华中科技大学电子系,湖北,武汉,430074;华中科技大学电子系,湖北,武汉,430074 【正文语种】中文 【中图分类】TN304 【相关文献】

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