不同制备条件对硅纳米线的形貌和反射率影响
赵诚; 吴子华; 谢华清; 毛建辉; 王元元; 余思琦
【期刊名称】《上海第二工业大学学报》 【年(卷),期】2020(037)001
【摘要】利用两步法-金属辅助化学刻蚀法(metal-assisted chemical etching,MACE)制备硅纳米线(silicon nanowires,SINWs)样品.研究了刻蚀温度、刻蚀时间、过氧化氢(H2O2)浓度对样品SINWs的形貌和反射率影响.研究发现,随着刻蚀时间增加,SINWs样品的长度随之增加,而反射率降低.H2O2浓度提高,SINWs样品的长度也增加,在浓度为0.1 mol/L时反射率降至最低.刻蚀温度升高,SINWs样品的长度先增加,然后随着SINWs生长速率变快的同时样品的形貌结构遭到破坏,反射率呈总体上升趋势.实验结果表明,改变制备过程中的反应条件,对SINWs的形貌会具有较大影响,同时SINWs阵列的反射率也会改变.SINWs的反射率强烈依赖于SINWs的长度、规整程度和空隙率大小等. 【总页数】9页(50-58)
【关键词】金属辅助化学刻蚀法; 硅纳米线; 反射率; 形貌 【作者】赵诚; 吴子华; 谢华清; 毛建辉; 王元元; 余思琦
【作者单位】上海第二工业大学 环境与材料工程学院 上海201209 【正文语种】中文 【中图分类】O69 【相关文献】
1.金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线 [J], 王艳周; 岳红伟; 栗军帅; 李亚丽 2.金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线 [J], 王艳周; 岳红伟; 栗军帅; 李亚丽
3.研究揭示掺杂硅纳米线载流子表面偏析现象 [J], 4.去噪后单晶硅表面形貌的反射率分析 [J], 徐瑞芬
5.高反射率LED陶瓷基板制备及其COB封装光源光效的研究 [J], 吴崇隽
以上内容为文献基本信息，获取文献全文请下载
不同制备条件对硅纳米线的形貌和反射率影响
