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LN5S21 LN5S21A LN5S21B力生美SR同步整流设计方案 - 图文

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LN5S21A、LN5S21B描述

LN5S21A 是一颗内置 MOSFET 的高性能的开关电源次级侧同步整流功率开关集成电路 ,可以方便地在应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6级能效的 5V/9V/12V 2.4A~3A 电流级别的快速充电开关电源系统,是性能优异的理想二极管整流器解决方案。芯片内置了独特的 TrueWaveTM 全时波形追踪技术,可支持高达 200kHz 的开关频率应用,并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工作 LN5S21B 是一颗内置 MOSFET 的高性能的开关电源次级侧同步整流功率开关集成电路 ,可以方便

地在应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6级能效的 5~20V 电压范围 3~3.5A 电流级别的快

速充电开关电源系统,是性能优异的理想二极管整流器解决方案。芯片内置了独特的 TrueWaveTM 全

时波形追踪技术,可支持高达 200kHz 的开关频率应用,并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工

作模式应用,可在开关电源的每一个波形转换的边沿自动快速打开或关闭内部的 Low RdsON MOSFET

器件,利用其极低的导通压降实现远小于诸如肖特基二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效

率,大幅降低了整流器件的温度,可方便地实现极高转换效率的低压大电流的开关电源应用。

高性能AC/DC开关电源次级同步整流功率开关

主要特点

u 内置 TrueWaveTM

实时波形追踪技术

u 极佳的 5V/9V/12V 快充同步整流

u 支持开关电源 CCM/CrM/DCM 模式 u 内置 NMOSFET VDS

耐压高达 105V

u 内置 NMOSFET RdsON 低至 10mΩ

u 比传统二极管整流效率提高 3~6% u 极宽的工作电压范围 4V 至 40V u

允许使用简单的正反激整流方式供电 u 也可 5V 直接供电或由辅助绕组供电 u 无开关时静态工作电流可低至 0.2mA

u 支持开关电源频率最高至 200kHz u 至简外围最简应用无需任何外部器件 u 合理脚位布局的标准 SOP8 封装形式

应用领域

2 5V2.4A~12V2A 快速 USB 充电器 2 5V3A~20V 2A Type-C-PD 高效充电器 2

高效率适配器

概述

LN5S21A 是一颗内置 MOSFET 的高性能的开关 电源次级侧同步整流功率开关集成电路 ,可以方便地在应用中构建满足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6 级能效的 5V/9V/12V 2.4A~3A 电流级别的快速充 电开关电源系统,是性能优异的理想二极管整流器 解决方案。芯片内置了独特的 TrueWaveTM

全时波

形追踪技术,可支持高达 200kHz 的开关频率应 用,并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工作

模式应用,可在开关电源的每一个波形转换的边沿

自动快速打开或关闭内部的 Low RdsON MOSFET 器 件,利用其极低的导通压降实现远小于诸如肖特基 二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率, 大幅降低了整流器件的温度,可方便地实现极高转 换效率的低压大电流的开关电源应用。

芯片内置耐压高达 105V 的 NMOSFET 同步整流 功率开关,且具有极低的内阻,典型 RdsON 低至 10mΩ,可提供系统高达 3A 电流输出能力,获得 优异的转换效能,大幅提高转换效率。

芯片还内置了高压直接检测技术,检测端子耐压 高达 105V,配合高达 40V 的供电电压范围,使得 控制器可直接使用从变压器端子上获得的正反激 能量进行供电操作,从而通过简单的方式得到更佳 的导通电阻性能并允许输出电压下降到很低的值。 高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简

单,在 5V/9V/12V 快充应用中,仅需一颗电容器 件即可构建一个完整的同步整流应用

可 提 供 满 足 RoHs 要 求 的 SOP8 封 装 。

Fig1. 典型连接(5V/9V/12V 快充应用)

内部功能框图

引脚定义

Fig2. 内部框图 SOP8

Fig3. 引脚定义 引脚功能描述

PIN 1,2 3 4 5,6,7,8

引脚名 GND/S VDD VCC D

引脚功能说明

芯片接地与 MOS Source 脚 内部供电脚,连接退耦电容 芯片供电脚

开关脚,内部 MOSFET 漏极

-2-

极限参数

项目

D 脚输入电压

D 脚输入电流 VCC脚输入电压 Other PIN输入电压 PD 允许耗散功率 Min/Max 操作温度 TJ Min/Max 储存温度 Tstg Rj-a

θ

参数

105

* +20 to -1

单位

V A V V mW ℃ ℃ ℃/W V V

40 -0.3 to 7 1000 -40 to 150 -55 to 150

90

HBM 人体模式

ESD

MM 机器模式

2500 250

Note*: Only allow width is 1ms pulse and period is 1s.

推荐工作条件

符号 VCC VT

DS

参数 VCC 供电电压 漏极峰值电压 工作环境温度

最小 4.5

典型 最大 40 100

单位 V V ℃

AMP

-20 105

电气参数(无标注时均按 Ta=25℃)

供电电压 (VCC Pin) 符号 VCCVCCVCCII

ON

参数 VCC 启动电压 VCC 关闭电压 UVLO 磁滞电压 VCC 静态电流 VCC 工作电流

测试条件 VCC 从 0V->15V VCC 从 15V->0V

最小 - - -

典型 4.3 4.0 0.3 0.2 5

最大 - - - - -

单位 V V V mA mA

OFF

HYT

VCC

VCC=5V,VS=0V VCC=5V,VS=50kHz

- -

VCC2

-3-

LN5S21 LN5S21A LN5S21B力生美SR同步整流设计方案 - 图文

LN5S21A、LN5S21B描述LN5S21A是一颗内置MOSFET的高性能的开关电源次级侧同步整流功率开关集成电路,可以方便地在应用中构建满足CoCV5及DoE2016等6级能效的5V/9V/12V2.4A~3A电流级别的快速充电开关电源系统,是性能优异的理想二极管整流器解决方案。芯片内置了独特的TrueWaveTM全时波形追踪技术,可支持
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