知识点名称半导体器件物理(1)
第1章pn结
知识点名称1-1 平衡pn结定性分析
三. 平衡PN结的特点
1. 耗尽层
(1) 耗尽层的含义:
冶金结附近局部区域,载流子浓度远小于离化杂质浓度,就对空间电荷贡献而言,可以忽略载流子的作用,称为载流子“耗尽”。
载流子“耗尽”的区域称为耗尽层(Depletion layer)
半导体器件物理(I)
第1章pn结
知识点名称1-1 平衡pn结定性分析
三. 平衡PN结的特点
1. 耗尽层(2) 耗尽层近似
(a) 耗尽层有确定的边界,分别记为-xp和xn(取冶金结处为坐标原点x=0)
则耗尽层宽度W0=(xn+ xp)(b) 耗尽层范围内,n=p=0,耗尽层范围外,载流子维持原来浓度不变。
半导体器件物理(I)
第1章pn结
知识点名称1-1 平衡pn结定性分析
三. 平衡PN结的特点
2. 空间电荷区
(Space charge region)(1) 对突变结:空间电荷密度分布为
?+eNd (0?x?xn)?(x)=?
?-eNa (-xp?x?0)
电中性条件:eNaxp=eNdxn
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第1章pn结
知识点名称1-1 平衡pn结定性分析
三. 平衡PN结的特点
2. 空间电荷区
(Space charge region)电中性条件:eNaxp=eNdxn(2) 单边突变结
若Nd>>Na , 则xn< 若突变结一侧掺杂浓度远大于另一侧,称为单边突变结 (one-sided step junction) W0=(xn+ xp) ≈ xp,耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧。 半导体器件物理(I)
03第1章03 - 103平衡pn结特点 - 图文
知识点名称半导体器件物理(1)第1章pn结知识点名称1-1平衡pn结定性分析三.平衡PN结的特点1.耗尽层(1)耗尽层的含义:冶金结附近局部区域,载流子浓度远小于离化杂质浓度,就对空间电荷贡献而言,可以忽略载流子的作用,称为载流子“耗尽”。载流子“耗尽”的区域称为耗尽层(Depletio
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