NandFlash原理与启动详解
一、Nandflash内部是怎么工作的：
1片Nandflash=1设备 ；1设备=4096块；1块=32页；1页=528字节=数据大小（512字节）+oob块大小（16字节）
（oob用于Nandflash命令执行完成后设置状态）可以通过NAND Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位，通过NAND Flash内置的指针指向各自的首地址。
存储操作特点有： 擦除操作的最小单位是块；NAND Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除(擦除即是将相应块的位全部变为1)；OOB部分 的第6字节(即517字节)标志是否是坏块，值为FF时不是坏块，否则为坏块。除OOB第6字节外，通常至少把OOB的前3字节用来存放NAND Flash硬件ECC码。
（ECC：\错误检查纠正\，带有奇偶校验的内存的主要功能。）
1.Nand flash以page为单位进行读写，以block为单位进行擦除，没页分为main区和spare区，main区用于存放正常的数据，spare区用于存放一些附加信息
2．S3c2440 支持从Nand 启动是因为内部有一个叫做Steppingstone的SRAM buffer，当启动的时候，nand 的前4k的将会代码将被拷贝到steppingstone中执行，注意前4k代码是不会经过ECC校验的，所以必须确保这些代码的准确 3.对nand的操作都是通过使用命令来实现，有的操作只要一个命令就可以完成，而有的需要两个命令才能完成,下面是K9F1G08U0B的命令表： 4 Flash烧写程序原理及结构
基本原理：将在SDRAM中的一段存储区域中的数据写到NAND Flash存储空间中。烧写程序在纵向上分三层完成。第一层:主烧写函数，将SDRAM中一段存储区域的数据写到NAND Flash存储空间中。第二层:该层提供对NAND Flash进行操作的页读、写及块擦除等函数。第三层：为第二层提供具体NAND Flash控制器中对特殊功能寄存器进行操作的核心函数，该层也是真正将数据在SDRAM和NAND Flash之间实现传送的函数。其中第二层为驱动程序的设计关键所在，下面对该层的读、写(又称编程)、擦除功能编码进行详细介绍。
nand flash 存储空间分布（图）
二、怎样从Nandflash拷贝并跳转到SDRAM的过程：
1.当 S3C2440被配置成从Nand Flash启动时, S3C2440的Nand Flash控制器会在 S3C2440上电时自动把NandFlash上的前4K代码搬移到Boot Internal SRAM,然后系统从起始地址是0x0000_0000的Boot Internal SRAM启动，在这4K代码中我们必须完成CPU的核心配置，把NandFlash上的代码全部拷贝到SDRAM中去，然后跳转到SDRAM中去执行剩余 的代码（进入操作系统等等）；
（跳转到SDRAM的过程图）
（操作系统分布图） 2.这一步完成的是把NandFlash上的代码拷贝到SDRAM的过程：
Nandflash原理与启动详解
