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第14章 习题
一、选择题
1.二极管电路如下图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V时，输出电压Uo=( )。 A．-14.3V B. -0.7V C. -12V D. -15V
D1
D2+
1KΩE1 U015V E112V -2. PN结加反向电压时，其反向饱和电流是由（ ）。 (图1)A. 多子扩散而成 B. 少子扩散而成 C. 少子漂移而成 D. 多子漂移而成
3. 一个晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V, 则下列哪种是正常工作状态（ ）。
A. UCE=3V, IC=10mA B. UCE=2V, IC=40mA C. UCE=6V, IC=20mA D. UCE=16V, IC=30mA
4.某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：10.5V, 6V, 6.7V, 则该三极管为（ ）。
A．NPN型锗管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. PNP型硅管
5. 图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（ ）。 A．－3V B．0V C．1V D．4V
6.二极管电路如图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V时，输出电压uo=( )。 A．-14.3V B．-0.7V C．-12V D．-15V
7．N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ ）。 A．带负电 B. 带正电 C. 不带电
8．半导体二极管的主要特点是具有（ ）。
A．电流放大作用 B．单向导电性 C．电压放大作用
9．二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为（ ）。 A．导通 B．截止 C．击穿
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?7VaDb?6.3V精选
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精选
10．如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（）。 A．击穿 B．电流为零 C．电流正常 D．电流过大使管子烧坏 +1.5V-D
二、填空题：
1．所谓PN结的正向偏置，是指将电源的正极与_____区相接，负极与______区相接，在正向偏置电压大于死区电压的条件下，PN结将_______。
2．PNP型三极管处在放大状态时，3个电极电位以_______极电位最高，______电位最低。 3．三极管工作在放大状态时，发射结需加______电压，集电结需加______电压。 4．稳压管的稳压区是工作在______状态。
5．工作在放大区的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA，则它的β值约为__________。
6．二极管具有______，即正向导通，反向截止。
7．当二极管所加的反向电压过高时，反向电流将突然增大，这种现象称为______。
8．NPN型三极管处在放大状态时，3个电极电位以_______极电位最高，______电位最低。 9．在本征半导体硅中，掺入微量三价元素，则成为________________ 半导体。
10．电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k?，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于_______。
+12VRDuAuBDuF
三、综合题
1．图示各电路中，E=5V，ui=10sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。
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DuiDuouiERuo(a)D(b)uiDEuouiERuo(c) 2．电路如图所示，已知不计。
(d)ui＝10sinωt(V)，试画出
ui与
u0的波形。设二极管正向导通电压可忽略
+ui+uoui0π2π3πωt
3. 电路如图1所示，设输入信号uI1,uI2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。
uI1/ VD12+RLuI1uI2D20-22t1t2tuO-uI2/ V 图10-2 图2出电压uO的波形。
t4．电路如图1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压ui=150sin?tV如图2所示，试画
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D1+D2+150ui/VuI-40k?+40k?20V+100VuO0- 图2
?t 图1（写出分析过程并设二极管正向压降为0.7 V）。
D1D2a+3kΩD35．电路如图所示，试分析当uI?3 V时，哪些二极管导通？当uI?0 V时，哪些二极管导通？
uI-+5V-D46．电路如图所示，设二极管D1，D2为理想元件，试计算电路中电流I1，I2的值。
3k?+12V-
D1I1D2-3V+
一、选择题
1．选用差动放大电路的最大优点是（ ）。
A．差模电压放大倍数高 B. 输出阻抗小 C. 输入阻抗高 D. 温漂小
2．差模输入信号是差动放大电路2个输入端信号的（ ）。 A. 和 B. 差 C. 比值 D. 平均值
3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是( )。
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第15章习题
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