PCB生产技术和发展趋势
（D）CO2激光和UV激光的优缺点（表
3所示）
表3
项目 CO2激光成孔 UV激光成孔
蚀孔机理热加工(烧蚀,需O2气) 冷加工(破坏结构键) 敷开窗口是不要蚀孔功率大小
发射波长长(10.6 、9.4μm)短(0.355或0.266μm)加工微小孔尺寸
大(Ф>80μm)小(Ф<100μm)
加工厚径比小C<0.5 大C∽1.0 加工铜箔需氧化处理后的薄铜箔是
加工玻纤布扁平E—玻纤布是去钻污处理是可不要生产率
孔径≥Ф100μｍ高低
孔径<Ф100μｍ低高生产成本
孔径≥Ф100μｍ低高
孔径<Ф100μｍ高低
(E)混合激光成孔.充分发挥各自特长来加工
.
㈠先由UV激光开”窗口”→CO2激光加工介质层,(RCC或扁平E
—玻纤基材)
㈡”清道夫”作用(由UV激光清除残留外物或检修㈢提高孔位精度㈣提高生产效率
(5)微小孔(含微盲孔)的孔金属化和电镀.
常规的孔金属化和直流电镀直接电镀. 脉冲电镀.
2.2 导体精细化技术与发展.
导体精细化是IC集成度化、组装高密度化和信息处理高速化的迫切要求.
2.3.1 导体精细化的发展趋势目前和今后导线的线宽
. .
)
/间距(L/S)发展趋势(μｍ为单位):
100/100→80/80→50/60→40/50→30/40→20/25→15/20┄→8/10.
2.3.2 导体精细化的实质是导体精细化的制作要求导体精细化内容是导线宽度微细化和导线宽度的精度化两个方面. 其中导线宽度精度是核心问题
:
(尺寸偏差)
,即在相同误差要求
,精度要求
下,随着导线精细化发展,线宽的偏差绝对值越来越小越来越高.如表所示
表4 标称线宽允许误差±20%时不同线宽的精度要求
标称线宽(μm)合格线宽尺寸(μm)偏差尺寸(μm)最大偏差值(μm)
100 80∽120 ±20 △=40 80 64∽96 ±16 △=32 50 40∽60 ±10 △=20 30 24∽36 ±6 △=12 随着线宽尺寸偏差的减小
(如±10%),精度化将提高.
2.3.3 导体精细化的制造技术2.3.3.1薄铜箔或超薄铜箔层压板基材提高导线精度. ①↓侧蚀
②↑整个线宽均匀性
铜箔的薄型化将随导线精细化而发展导线精细化发展铜箔厚度发展薄铜箔表面处理. 保存条件的重要性. 图形转移前表面处理:
机械檫板→磨板(Al2O3)→电化学或化学处理→免处理(双面已处理)铜箔.
2.3,3,2 图象转移技术. 光致抗蚀剂
. .
100μm→80μm→50μm→30μｍ┄18μm→12μm→9μm→5μm→┄
干膜光致抗蚀剂厚度大≥25μm
需载体膜，≥15μｍ，曝光时折射等湿膜光致抗蚀剂★厚度
8∽12μｍ。
无载体。但加工过程多正性湿膜光致抗蚀剂厚度可很薄。可在常规光F操作。成本高。
⑵照相底片曝光
点光源曝光，带来线宽的尺寸偏差。威胁导线精度（光入射角的差别）。光致抗蚀剂厚度与类型引起偏差。平行光曝光。能较好的解决问题。投资昂贵，成本高
⑶显影
①显影均匀性，中心区域与四周边区域的均匀。
②显影干净无余胶（精细间隙）。
⑷蚀刻
常规蚀刻受到挑战。
蚀刻不均匀性—抗蚀剂厚度；区域效应；扩散层厚度。摆动
真空蚀刻：
原理—防止布丁效应。
精度：精细线可达±2μｍ（限超薄铜箔）。碱性蚀刻优于酸性蚀刻。
2.3.3.3激光直接成像（LDI）。
⑴激光直接成像的提出
照相底片成像技术受到严重挑战；特别是高密度L/S≤80μmS时。
导线的尺寸精度达不到要求（特别是Z0控制时）。
尺寸变化大。
层间对位度要求越来越小时。简化了加工步骤。
消除了照相底片成像引起的各种缺陷。
缩短了生产周期，特别是多品种，少批量的产品。降低了成本。
⑵激光直接成像的类型。
涂覆光致抗蚀剂的激光直接成像。
板或
HDI/BUM
PCB生产技术和发展趋势
