(SiC)n(n=1～5)团簇的结构与性质的密度泛函理论研究

(SiC)n(n＝1～5)团簇的结构与性质的密度泛函理论研究

张梅玲;陈玉红;李公平;张材荣

【期刊名称】《原子与分子物理学报》 【年(卷),期】2013(030)006

【摘要】运用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31G*基组水平上对(SiC)n(n=1～5)团簇各种可能的构型进行了几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的振动特性、成键特性、电荷特性等进行了理论研究.结果表明:(SiC)n团簇形成碳原子骨架,而硅原子生长在碳原子骨架上;在Si和C相互作用形成团簇的过程中,Si原子向C原子有电荷转移,团簇中原子间相互作用呈现共价型;SiC、(SiC)5团簇有相对较高的动力学稳定性;团簇稳定结构的IR最强振动主要是C-Si键的伸缩振动,Raman较强振动均来自C-C键的伸缩振动.

【总页数】7页(917-923)

【关键词】(SiC)n(n＝1～5)团簇;密度泛函理论;基态结构;结合能 【作者】张梅玲;陈玉红;李公平;张材荣

【作者单位】兰州理工大学理学院,兰州730050;兰州大学核科学与技术学院,兰州730000;兰州理工大学理学院,兰州730050;兰州大学核科学与技术学院,兰州730000;兰州理工大学理学院,兰州730050 【正文语种】中文 【中图分类】O561.1 【相关文献】

1.CdnSn(1≤n≤12)团簇结构与电子性质的密度泛函理论研究 [J], 楚合营; 刘朝