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第四章-晶体二极管与晶体三极管

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第四章 晶体二极管与晶体三极管

本章概述:晶体管是采用半导体晶体材料(如硅、锗、砷化镓等)制成的,在

电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面,对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。

第一节 晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法

一、 中华人民共和国国家标准(GB249-74)

国标(GB249-74)半导体器件型号命名由五部分组成,见表4-1。

表4-1 国标半导体器件型号命名方法

第一部分 第二部分 第三部分 第四部第五部分 分 用数字表示器件电用汉语拼音字母表示器件的材料极数目 和极性 符号 意义 符号 A B 2 二极管 C D A B C 3 三极管 D E 意义 N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P型硅材料 PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 用数字汉语拼表示器音字母用汉语拼音字母表示器件的类型 件的序表示规号 格号 符号 意义 P V W C Z L S N K B 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 开关管 雪崩管 符号 D A T X G J CS BT FH PIN JG 意义 低频大功率管 高频大功率管 半导体闸流管 低频小功率管 高频小功率管 阶跃恢复管 场效应管 特殊器件 复合管 PIN管 激光器件 U 光电器件 Y 体效应管 低频小功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率<1W,高频小功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率<1W,低频备注 大功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率≥1W,高频大功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率≥1W。

例如:锗PNP高频小功率管为3AG11C,即

3(三极管)A(PNP型锗材料)G(高频小功率管)11(序号)C(规格号)

二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法

表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 美国电子半导体协会(EIA)登记顺序号 符号 意义 第五部分 用音字母表示器件分档 符号 意义 同一型号不同档别 用符号表示用用数字表示PN结的数美国电子半导体协会途的类别 目 (EIA)注册标志 符号 意义 符号 1 2 3 4 意义 二极管 三极管 3个PN结器件 N个PN结器件 N 符号 意义 JAN或军用品 J 无 非军用品 该器件已在该器件已在美美国电子半国电子半导体多位数字 导体协会登协会登记顺序记顺序号 号 ABCD 三、日本半导体器件型号命名方法

表4-3 日本半导体器件型号命名方法 第二部分:日本 电子工业协会 注册产品 字母 含义 字母 A 光敏二极管、晶体管0 或其组合管 表示已在日本电子工业协会(JEIA)S 注册登记的半导体分立器件 B C D F G H J K M 第五部分: 产品 改进序号 第一部分:器件 类型或有效电极数 数字 含义 第三部分:类别 第四部分: 登记序号 含义 PNP型高频管 PNP型低频管 NPN型高频管 NPN型低频管 P门极晶闸管 N门极晶闸管 N基极单结晶体管 P沟道场效应管 N沟道场效应管 双向晶闸管 用两位以上的用字母A、B、C、整数表示在日D……表示 对本电子工业协原来型号的改会注册登记进 的、顺序号 1 2 二极管 三极管或具有两个pn结的其他器件 具有四个有效电极3 或具有三个PN结的晶体管 第二节 半导体器件的外形识别

一、晶体二极管的外形识别

1.晶体二极管的结构与特性

定义:晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以,二极管实际就是一个PN结。电路图中文字表示符号为用V表示。

基本结构:PN结加上管壳和引线,就成为了半导体二极管。

图4-1 二极管的结构和电路符号

二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图4-2所示。 1)正向特性

当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

2)反向特性

二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

3)击穿特性

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。

图4-2 晶体二极管伏安特性曲线

2.晶体二极管的分类与图集

按材料分为两种:一是硅二极管,二是锗二极管。按制作工艺分为面接触二极管和点接角二极管。按用途分类有整流二极管、检波二极管、发光二极管、稳压二极管、光敏(光电)二极管、开关二极管和快恢复二极管。 (1)检波用二极管 就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。

1.检波二极管 2.老检波二极管 3.检波二极管1n6 4.贴片检波二极管

5.玻璃管封装的检波二极管 6.检波二极管LL1N60P 7.检波二极管

8.AP系列检波二极管 9.2AP9检波二极管 10.高频检波二极管

11.贴片检波二极管LL60P 12.检波二极管

第四章-晶体二极管与晶体三极管

第四章晶体二极管与晶体三极管本章概述:晶体管是采用半导体晶体材料(如硅、锗、砷化镓等)制成的,在电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面,对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、中华人民共和国国家标准(GB249-74)
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