1.硅片表面出现单一的一条阴刻线（凹槽）、一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，单晶硅、多晶硅在拉制过程中出现的硬质点造成跳线，而形成的线痕；
2.硅片表面集中在同一位置的线痕，很乱且不规则；①机械原因、②导轮心震过大、③多晶硅铸锭的大块硬质晶体；
3.硅片切割第一刀出现线痕，硅片表面很多并不太清晰：①沙浆粘度不够、碳化硅微粉粘浮钢线少、切削能力不够，②碳化硅微粉有大颗粒物，③钢线圆度不够、带沙量降低，④钢线的张力太小产生的位移划错，⑤钢线的张力太大、线弓太小料浆带不过去，⑥打沙浆的量不够，⑦线速过高、带沙浆能力降低，⑧沙、液比例不合适，⑨热应力线膨胀系数太大，⑩各参数适配性差。
4.切割中集中在某一段的废片，是由于跳线引起的；跳线的原因：①导轮使用时间太长、严重磨损引起的跳线（导轮使用次数一般为75-85次），②沙浆的杂质进入线槽引起的跳线。
5.常见阴刻线线痕，由于晶棒本身有生成气孔，切割硅片后可见像硅表面一样亮的阴刻线，并不是线痕。
6.常见线痕：①进刀口：由于刚开始切割，钢线处在不稳定状态，钢线的波动产生的线痕（进线点质硬，加垫层可消除线摆）；②倒角处的线痕：由于在粘结硅棒时底部残留有胶，到倒角处钢线带胶切割引起的线痕，③硅棒后面的线痕：钢线磨损、造成光洁度、圆度都不够，带沙量低、切削能力下降、线膨胀系数增大引起的线痕。
单晶硅片制作流程生产工艺流程具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。
清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂,并且脱去外套盖在女孩身上。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子,mbt lami。
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。 DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。 APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧
化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。 DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。
磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。
腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。
分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um,ugg cardy。此处产生粗抛废液。
精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。
检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。 检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。 包装：将单晶硅抛光片进行包装。 硅片等级分类及标准 New Roman \一、优等品
1：硅片表面光滑洁净。 2：TV：220±20μm。 3：几何尺寸：
边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；
边长150±0.5mm、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。 二、合格品 一级品：
1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。 3：几何尺寸：
边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；
边长150±0.5mm、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5,cheap radii shoes。 二级品：
1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。 2： 220±30μm ≤TV≤220±40μm。 3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：
边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm； 边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；
边长150±0.52mm、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8。 三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。 2：220±40μm ≤TV≤220±60μm。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。 三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60μm。 崩边片：有缺损但可以改Φ103的硅片。 气孔片：硅片中间有穿孔。
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。 倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差>1.5mm。 菱形片（垂直度）：任意两边的夹角>90°±0.8。 凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30μm。 脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑。 尺寸偏差片：几何尺寸超过二级品的范围。 注：以上标准针对的硅片厚度为220μm。
关于多线切割线痕问题
