2.0V0V-2.0V0sV(VL) Time1.0ms2.0ms3.0ms4.0ms5.0ms
幅频响应曲线
40(29.552,28.970)16.166,25.622)(6.3668K,31.976)(1.4030M,28.959)200-2010Hz100HzDB(V(RL:2)/V(Vi:+))1.0KHz10KHz100KHz Frequency1.0MHz10MHz100MHz
输入电阻得频率响应
80K(220.362,72.597K)40K(100.000M,609.764)010Hz100HzV(C1:2) / I(C1)1.0KHz10KHz100KHz Frequency1.0MHz10MHz100MHz
输出电阻得频率响应
8.0K(985.800,5.0998K)4.0K010Hz100HzV(V2:+) / I(V2)1.0KHz10KHz100KHz Frequency1.0MHz10MHz100MHz
相频特征曲线
-100d(1.0145K,-178.432)-200d-300d-400d10Hz100HzP(V(VO)/V(Vi:+))1.0KHz10KHz100KHz Frequency1.0MHz10MHz100MHz
Rp=mａx 饱与失真
12.0V(752.846u,11.999)11.8V11.6V(2.2529m,11.488)11.4V0sV(C6:2) Time1.0ms2.0ms3.0ms4.0ms5.0ms
Rp=min 截止失真
Ｖampl=1５0０mv
2.12V2.08V2.04V0sV(C6:2) Time1.0ms2.0ms3.0ms4.0ms5.0msVam
10Vｐl=2000ｍ
ｖ
5V0V0sV(C6:2) Time1.0ms2.0ms3.0ms4.0ms5.0ms
８、撰写实验报告记录调试过程中出现得问题,分析原因。
(1)在调整静态工作点得时候,VD与VＧS之中,二者总就是不能同时满足要求,最终我发现ＶＤ稍大于6Ｖ时,ＭＯS管同样能够正常放大信号,所以我判定当前静态工作点能够使MOS正常工作。
(2)在接入信号发生器时,发现示波器上波形有很多毛刺,并且波形不稳定。经检查后发现就是地线没有接好,重新连接地线后波形形状大幅改善。
(3)在测量失真波形得时候,我发现如何调整电位器Rf,都不能出现很好得输出波形,所以我增大了输入信号得幅值,直到出现了比较好得失真波形
MOSFET实验报告
