历年成人高考高起点数学试题及答案汇总（19992011年）49292

物理竞赛论文书写式样

一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左2.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。

二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。 三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。 四、摘要

1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号

宋体，“摘要”两字小五号宋体，摘要内容小五号宋体，“关键词”三字小五号宋体加粗，

2．英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times

New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。

五、正文：标题四号宋体，正文内容五号宋体。 六、图表：图表内容五号宋体。

七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容五号宋体，其中英文

用五号Times New Roman 体。

具体书写式样如下：

III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 宋体，小二号，居中 LED外延片的MOCVD生长和性质研究

专 业： 学 号： 宋体，五号，对齐居中 内容：中文宋体，外文字符Times New Roman，小四，两端对齐，摘要 1.35倍行距 关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔 宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大 功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。

本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：

1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。

学生姓名： 标题：宋体，小五号，两端对齐， 指导教师： 1.35倍行距 …………

关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱

study on MOCVD growth and properties of III-Ⅴ nitrides and high brightness blue LED wafers Abstract

GaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power

electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new 标题：Times New Roman，四号，两端对齐，1.35倍行距 area of 3th generation semiconductor.

More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994. In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:

1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates.

…………

This work was supported by 863 program in China.

Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption

内容：Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距 关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔 Times New Roman，小二号，居中

1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪，五号，正文文字：中文宋体，英文Times New Roman40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料行距），段前0行，段后0行。 及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 …………

表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。 2 III族氮化物的基本结构和性质

…………

表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、?c和T0的值 带隙温度系数 样品类型 实验方法 dEg/dT(eV/K) T=300K GaN/Al2O3 光致发光 -5.3210 -4 Eg0(eV) ?c (eV/K) T0 (K) 5.0810-4 7.3210-4 -7.210-4 -9.310-4 772 63 600 62 700 59 -996 参考文献 61 3.503 GaN/Al2O3 光致发光 3.489 GaN/Al2O3 光致发光 -4.010 -4GaN/Al2O3 光吸收 -4.510 -4~3.471

加热电阻 图标题置于图的下方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英―――□―――■■―――□――→气流 ，五号，行距1.35。 文Times New Roman测温元件 测温元件

图1-1 热风速计原理

…………

标题：中文宋体，四号，居中 参考文献

[1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02 [2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583．

参考文献内容：中文宋体，英文[3] 万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮电出版社，Times New 1990．302-307．

Roman，五号，1.35倍行距，参考文献应在文中相应地方按出现顺序标引。 [4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06． 1985，33(COM)：249-258．

[5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE Trans Commun，[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．

常见参考文献格式： ①科技书籍和专著：编著者．译者．书名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．页码． ②科技论文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷号（期号）：页码． 作者．篇名．ⅹⅹ单位博（硕）论文，年． 参考文献必须标明文献类型标志：学位论文电子文献载体类型标志：磁带 D；报告 R；标准 S ；MT专利普通图书；磁盘 P；数据库 DK M；光盘； 会议录DB； CD计算机程序 C；联机网络； 汇编 G CP； 报纸；OL电子公告。 N；期刊 EB J；。