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防静电技术要求

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防静电技术要求

主题内容及适用范围

本标准规定了电子设备研制生产全过程中,对静电放电危害的防护技术基本要求,静电敏感器件的采购、检测、储存、运输、装配过程中的防静电操作要求,对防静电工作区的管理以及人员教育培训等内容。

本标准适用于研制、生产、维修电子设备的部门及采购、储运、检测电子元器件,也适用于其它任何涉及静电敏感元器件的部门。

1 术语

1.1静电:物体表面过剩或不足的静止电荷。

1.2静电放电:静电电场的能量达到一定程度后,击穿其间介质而进行放电的现象。英文缩写ESD。

1.3静电敏感度:元器件所能承受的静电放电电压值。静电放电敏感(的)英文缩写ESDS。

1.4静电敏感器件:(承受静电放电电压较低的器件)对静电放电敏感的器件。

1.5泄放:将静电荷安全传导到地。

1.6中和:利用导性电荷(异性离子)使静电消失。

1.7静电导体:表面电阻率在105~108Ω范围内的物体。

1.8接地:电气连接到能提供或接受大量电荷物体上。(如大地、舰船或运载工具金属外壳。)接地连接点英文缩写:EBP。

1.9防静电工作区:用各种防静电设施、器件及明确区域的界限形成的工作场地。(用必要的防静电防护材料和设备建立和装备起来有明显标志的区域能防护静电损害。)英文缩写:EPA。

1.10静电放电保护材料具备以下特征:

1.10.1防止产生摩擦起电。

1.10.2免受静电场的影响。

1.10.3防止与带电人体或带电物体接触而产生直接放电。

1.11静电放电损伤:由静电放电造成的电子元器件性能退化或功能失效。

1.12静电耗散材料:其表面电阻率等于或大于1*105~1012Ω或体积电阻104~1011Ω的

材料。

2 静电放电造成电子元器件失效及对静电放电敏感性分类

2.1 静电放电造成电子元器件失效:

静电放电对电子元器件的损伤可造成功能失效和损伤。

失效的主要机理有:a 热二次击穿

b 金属镀层融熔

c 介质击穿

d 气弧放电

e 表面击穿

f 体击穿

2.2电子元器件易遭受静电放电损伤的敏感结构见附录A(参考件)

附 录 A

对ESD敏感的元器件组成部分

元器件组成部元 器 件 类 别 分 失 效 机 理 失 效 标 志 MOSFET(分力的) MOS集成电路 有金属跨接的半导体器件 MOS结构 电压引起的介质击穿和接着发生的大电流现象 数字集成电路(双极和MOS)线性集成电路(双极和MOS)MOS阻容器 混合电路 短路(漏电大)

防静电技术要求

防静电技术要求主题内容及适用范围本标准规定了电子设备研制生产全过程中,对静电放电危害的防护技术基本要求,静电敏感器件的采购、检测、储存、运输、装配过程中的防静电操作要求,对防静电工作区的管理以及人员教育培训等内容。本标准适用于研制、生产、维修电子设备的部门及采购、储运、检测电子元器件,也适用于其它任何涉及静电敏感元器件的部门。1
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