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第五章 FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（ ）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（ ） ×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（ ） ×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（ ） ×
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）前往 ×
互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) √
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。( ) ×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。( ) ×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。( ) √
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ）
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√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（ ） ×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。 源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。 VGS（栅源电压），ID（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。 电压，1
当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很 ＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。 大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。 共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 共集
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图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
饱和
三、单项选择题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 。 A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管D、NEMOS
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第五章-FET三极管及其放大管考试试题
