人生有几件绝对不能失去的东西:自制的力量，冷静的头脑，希望和信心
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第四章 思考题与习题
1．解释下列概念 主存、 辅存、 Cache、 RAM、 SRAM、 DRAM、 ROM、 PROM、 EPROM、 EEPROM、 CDROM、 Flash Memory 答：
主存：与 CPU 直接交换信息，用来存放数据和程序的存储器。 辅存：主存的后援存储器，不与 CPU 直接交换信息。
CACHE：为了解决 CPU 和主存的速度匹配，设在主存与 CPU之间，起缓冲作用，用于提高访存速度的一种存储器。
RAM：随机存储器：是随机存取的，在程序执行过程中既可读出也可写入，存取时间与存储单元所在位置无关。
SRAM：静态 RAM，以触发器原理存储信息。
DRAM：动态 RAM，以电容充放电原理存储信息。
ROM：只读存储器，在程序执行过程中只能读出，而不能对其写入。 PROM：一次性编程的只读存储器。
EPROM：可擦除的可编程只读存储器，用紫外线照射进行擦写。 EEPROM：用电可擦除的可编程只读存储器。 CDROM：只读型光盘
Flash Memory：快擦型存储器，是性能价格比好，可靠性高的可擦写非易失型存储器
2．计算机中哪些部件可用于存储信息，请按其速度、容量和价格/位排序说明。 答：
寄存器、缓存、主存、磁盘、磁带等。 速度按顺序越来越慢，容量越来越高和价格/位越来越低
3．存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次，计算机如何管理这些层 次？ 答：存储器的层次结构主要体现在Cache—主存和主存—辅存这两个存储层次上。
Cache—主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，接近于Cache的速度，而容量和位价却接近于主存。
主存—辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存
4．说明存取周期和存取时间的区别。 答：
存取周期和存取时间的主要区别是：存取时间仅为完成一次存取操作的时间，而存取周期不仅包含操作时间，还包含操作后线路的恢复时间。即：
存取周期 = 存取时间 + 恢复时间
5．什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为 32 位，存取周期为 200ns，则存储器 的带宽是多少？
解：存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。
存储器带宽 = 1/200ns×32位= 160M位/秒 = 20MB/S = 5M字/秒
6．某机字长为 32 位，其存储容量是 64KB，按字编址它的寻址范围是多少？若主存以字节 编址，试画出主存字地址和字节地址的分配情况。 答：
存储容量是64KB时，按字节编址的寻址范围就是64KB，则：按字寻址范围 = 64K×8 / 32=16K
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按字节编址时的主存地址分配图如下：
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7．一个容量为 16K×32 位的存储器，其地址线和数据线的总和是多少？当选用下列不同规 格的存储芯片时，各需要多少片？ 1K×4 位，2K×8 位，4K×4 位，16K×1 位，4K×8 位，8K×8 位 答：
地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46根； 各需要的片数为：
1K×4：16K×32 /1K×4 = 16×8 = 128片 2K×8：16K×32 /2K×8 = 8 × 4 = 32片 4K×4：16K×32 /4K×4 = 4 × 8 = 32片 16K×1：16K×32 /16K×1 = 32片
4K×8：16K×32 /4K×8 = 4 × 4 = 16片 8K×8：16K×32 / 8K×8 = 2X4 = 8片
8．试比较静态 RAM 和动态 RAM。 特性 存储 破坏性读出 需要刷新 地址复用 运行速度 集成度 功耗 适用场合 SRAM 触发器 非 不要 无 快 低 高 cache DRAM 电容 是 需要 有 慢 高 低 大容量主存
9．什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。 答：
刷新——对DRAM定期进行的全部重写过程；
刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；
常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。
集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新；
分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间；
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异步式：是集中式和分散式的折衷
10．半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种？ 答：
半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种：线选法和重合法。
线选法：地址译码信号只选中同一个字的所有位，结构简单，费器材； 重合法：地址分行、列两部分译码，行、列译码线的交叉点即为所选单元。。可大大节省器材用量，是最常用的译码驱动方式
11. 一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新及异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？ 答：
设DRAM的刷新最大间隔时间为2ms，
则异步刷新的刷新间隔 =2ms/256行 =0.0078125ms =7.8125μs 即：每7.8125μs刷新一行。
集中刷新时，死时间为256*0.1us=25.6us。 分散刷新，刷新间隔0.2us，死时间为0.1us，读写周期0.2us 异步刷新，死时间0.1us，刷新间隔7.8125us。
12. 画出用1024×4位的存储芯片组成一个容量为64K×8位的存储器逻辑框图。要求将64K分成4个页面，每个页面分16组，指出共需多少片存储芯片。 答：
设采用SRAM芯片，则：
总片数 = （64K×8位） / （1024×4位）= 64×2 = 128片
题意分析：本题设计的存储器结构上分为总体、页面、组三级，因此画图时也应分三级画。首先应确定各级的容量：
页面容量 = 总容量 / 页面数 = 64K×8 / 4 = 16K×8位，4片16K×8字串联成64K×8位 组容量 = 页面容量 / 组数 = 16K×8位 / 16 = 1K×8位，16片1K×8位字串联成16K×8位
组内片数 = 组容量 / 片容量 = 1K×8位 / 1K×4位 = 2片，两片1K×4位芯片位并联成1K×8位
存储器逻辑框图：
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