1. 某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100
2. 当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ）
a、05. b、 c、 d、1
3. 当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB
4. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、Ω
5. 用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内
的电压
信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别
6. 用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB ，都接入负载RL时，测得VOA a、输入电阻高 b、输入电阻小 c、输出电阻高 d、输出电阻低 理想运放 7. 在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（ A ） a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8. 如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9. 如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10. 设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 阻 出端，则V0与VN、VP分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11. 若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） 12. A、反相比例运算电路 13. B、同相比例运算电路 14. C、微分运算电路 15. D、积分运算电路 半导体 16. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 17. 半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 18. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 19. 在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（ C a、载流子 b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子 20. 温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ） a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 b、空穴增多，自由电子数目不变 c、自由电子增多，空穴数目不变 d、自由电子和空穴数目都不变 二极管 21. PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（ B ） a、只从P区流向N区 b、等于零 ） c、只从N区流向P区 d、无法判别 22. 流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（ A ） a、减小 b、增大 c、基本不变 d、无法确定 23. 当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ） a、不变 b、变宽 c、变窄 d、无法判别 24. 二极管正向电压从增大5%时，流过的电流增大为（ B ） a、5% b、大于5% c、小于5% d、不确定 25. 温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ） a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能 26. 利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ） a、反向击穿特性 b、正向特性 c、反向特性 d、单向导电性 27. PN结形成后，PN结中含有（ D ） a、电子 b、空穴 c、电子和空穴 d、杂质离子 28. PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ） a、相等 b、大于 c、小于 d、无法确定 29. 稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ） a、正向状态 b、反向状态 c、单向导电状态 d、反向击穿状态 30. 以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ） a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP10 31. 在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号 模型。如图所示符号为（ C ）。 A、理想模型 B、恒压降模型 C、折线模型 D、小信号模型 三极管 32. 放大电路的静态是指（ A ） a、输入端短路 b、输入端开路 c、交流信号短路 d、交流信号为零 33. 三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（ C ）
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