专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》
一、 (共75题,共150分)
1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每()个月翻一番 (2分)
A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案:B
2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的()效应产生的。 (2分) A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案:C
3. 在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在()区。 (2分) A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案:D
4. MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。 (2分) A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案:A
5. ()表征了MOS器件的灵敏度。 (2分) A. B. C.
D.
.标准答案:C
6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的()。 (2分) A. B. C.
D.
.标准答案:B
7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是()。 (2分) A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配
C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案:C
8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益()。 (2分) A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器
D.Cascode负载Casocde差分放大器 .标准答案:C
9. 镜像电流源一般要求相同的()。 (2分)
A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案:D
10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使
和
严格相等,
应取为()。 (2分)
A.
B. C.
D. .标准答案:A
11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是()。 (2分) A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案:A
12. 下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输入电阻为()。 (2分)
A.
B. C.
D. .标准答案:A
13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是()。 (2分) A.DC B.AC C.OP D.IC .标准答案:C
14. 模拟集成电路设计中的第一步是()。 (2分) A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案:C
15. ()可提高图中放大器的增益。 (2分) A.减小,减小 B.增大,增大 C.增大
,减小
D.减小,增大 .标准答案:A
16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是()。 (2分) A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻 .标准答案:C
17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是()。 (2分) A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置 .标准答案:A
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18. 在NMOS中,若会使阈值电压() (2分) A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小 .标准答案:A
19. NMOS管中,如果VB变得更负,则耗尽层()。 (2分) A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案:C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会() (2分)
A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低 .标准答案:D
21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是()。 (2分) A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案:C
22. 工作在饱和区的MOS管,可以被看作是一个()。 (2分) A.恒压源 B.电压控制电流源 C.恒流源 D.电流控制电压源 .标准答案:B
23. 密勒效应最明显的放大器是()。 (2分) A.共源极放大器 B.源极跟随器 C.共栅极放大器 D.共基极放大器 .标准答案:A
24. 不能直接工作的共源极放大器是()共源极放大器。 (2分) A.电阻负载 B.二极管连接负载
C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载 .标准答案:C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是()。 (2分) A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案:B
26. 在当今的集成电路制造工艺中,()工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。 (2分)
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案:B
2
27. MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的()效应引起。 (2分) A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案:B
28. PMOS管的导电沟道中依靠()导电。 (2分) A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案:B
29. 当MOS管的宽长比是定值时,其跨导与漏源电流的关系曲线是()。
A
B C D (2分)
A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案:D
30. 如果MOS管的栅源过驱动电压给定,L越(),输出电流越理想。 (2分) A.大 B.小 C.近似于W D.精确 .标准答案:A
31. MOS电容中对电容值贡献最大的是()。 (2分) A.CGS B.CGD C.CDB
D.CSB
.标准答案:A
32. 下面几种电路中增益线性度最好的是()。 (2分) A.电阻负载共源级放大器 B.电流源负载共源级放大器 C.二极管负载共源级放大器 D.源极负反馈共源级放大器 .标准答案:C
33. 电阻负载共源级放大器中,下列措施不能提高放大器小信号增益的是()。 (2分)
A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻
C.降低输入信号直流电平 D.增大器件的沟道长度L .标准答案:D
34. 电阻负载共源级放大器中,让输入信号从VDD下降,NMOS管首先进入()区。 (2分)
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A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案:B
35. 下图的共源共栅放大器中,选择合适的偏置电压VB,让输入电压Vin从0逐
渐增加,则先从饱和区进入线性区的MOS管是()。
(2分)
A.M1 B.M2
C.两个同时进入 D.都有可能 .标准答案:D
36. 下面放大器的小信号增益为()。 (2分)
A. ?gmro
?gmroB. 1?gmRs
C.1
D.理论上无穷大 .标准答案:A
37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是()。 (2分) A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路 C.减小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益 .标准答案:D
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38. 下图电流镜的输出电压最小值为()。 (2分) 2V?2VthA.OD 40. ()可提高图中放大器的增益。 (2
B.2VOD?Vth C.2VOD D.2VOD?2VGS .标准答案:C
39. 下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输出电阻为()。
(2分)
RA.1?A
RB.
1?1A C.R?1?A??
D.
R1?1A? .标准答案:B —
分)
??W??A.减小?L?1,2
B.仅增大L
1,2
??W??C.增大?L?1,2
D.仅减小W1,2 .标准答案:C
41. MOS管的端电压变化时,源极和漏极()互换。 (2分) A.能 B.不能
C.不知道能不能 D.在特殊的极限情况下能 .标准答案:A
42. CMOS工艺里不容易加工的器件为()。 (2分) A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS管 .标准答案:C
43. MOS管的特征尺寸通常是指()。 (2分) A.W B.L C.W/L D.tox .标准答案:B
44. MOS管从不导通到导通过程中,最先出现的是()。 (2分) A.反型 B.夹断 C.耗尽 D.导通 .标准答案:C
45. 源极跟随器通常不能用作()。 (2分)
A.缓冲器 B.放大器 C.电平移动 D.驱动器 .标准答案:B
46. 能较大范围提高阈值电压的方法是()。 (2分)
4
A.增大MOS管尺寸 B.提高过驱动电压
C.制造时向沟道区域注入杂质 D.增大衬底偏置效应 .标准答案:C
47. PMOS管导电,依靠的是沟道中的()。 (2分) A.电子 B.空穴 C.电荷 D.电子空穴对 .标准答案:B
48. 为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性,我们通常让其工作在()区。 (2分)
A.截止 B.三极管 C.线性 D.饱和 .标准答案:D
49. MOS管中最大的电容是()。 (2分)
A.氧化层电容 B.耗尽层电容 C.交叠电容 D.结电容 .标准答案:A
50. MOS器件小信号模型中的是由MOS管的()效应引起。 (2分) A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案:C
51. 在当今的集成电路制造工艺中,()工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。 (2分)
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案:B
52. ()在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番 (2分) A.比尔盖茨 B.摩尔 C.乔布斯 D.贝尔 .标准答案:B
53. 最常见的集成电路通常采用()工艺制造。 (2分) A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案:B
54. 工作在()区的MOS管,可以被看作为电流源。 (2分) A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 .标准答案:D
55. 工作在()区的MOS管,其跨导是恒定值。 (2分) A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 .标准答案:D
56. 载流子沟道就在栅氧层下形成(),源和漏之间“导通”。 (2分)
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A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层 .标准答案:B
57. 形成()的栅源电压叫阈值电压()。 (2分) A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层 .标准答案:B
58. NMOS管中,如果VBS变得更小,则耗尽层()。 (2分) A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案:C
59. NMOS管的导电沟道中依靠()导电。 (2分) A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案:A
60. 当MOS管的宽长比是定值时,其跨导与过驱动电源的关系曲线是()。
A
B C D (2分)
A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案:C
61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制,我们定义()来表示电压转换电流的能力。 (2分)
A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益 .标准答案:A
62. 为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,值() (2分) A.较大 B.较小 C.不变 D.不定 .标准答案:B
63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗()。 (2分) A.低 B.一般 C.高 D.很高 .标准答案:D
64. NMOS管中,对阈值电压影响最大的是()。 (2分) A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L .标准答案:A
65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的()效应。 (2分)
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