扩展数据存储器

洛阳理工学院实验报告

系别 计算机与信息工程系 班级 B110510 学号 B11051020 姓名 实验日期 成绩 谢强 课程名称 实验名称 单片机原理及应用 MCS-51单片机系统扩展2片6264 实验目的： 1.熟悉Keil软件的C51仿真开发环境的使用； 2.学会并熟练MCS-51单片机系统扩展； 3.掌握74LS139，74LS373，62644等芯片的使用原理。 4.通过编写程序，进行调试并上显示出结果。 实验条件： 装有proteus和keil软件的计算机 实验内容： 1.实验原理图如图1-1所示： 图1-1 实验原理图 1 / 5

2.验元器件表如下1-1所示： 表1-1 实验元器件 元件类别 Microprocessor ICs Data Converters Memory ICS Resistance TTL 74LS series Animated 3.实验元件介绍： 常用的RAM引脚图如图1-2所示： 图 1-2 常用的RAM引脚图 6264的引脚有一些特殊，体现在还有一个CS引脚需要接高电平 各引脚功能： A0～A15：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE：片选信号输入线，低电平有效。（但对6264芯片，当24脚（CS）为高电平且CE为低电平时才选中该片）。 OE：读选通信号输入线，低电平有效。【从外RAM中读数据，连RD】 2 / 5

电路符号 U1 U2 U3/U4 R1 U5 LED 元件名称 AT89C51 74LS373 6264 R1 74LS139 lED-YELLOW WE：写允许信号输入线，低电平有效。【往外RAM中写数据，连WR】 VCC: 工作电源+5V。 GND: 地 RAM存储器有读出、写入和维持3种工作方式，工作方式的控制见表1-2。 表 1－2 6116、6264、62256芯片3种工作方式的控制 工作方式 读出 写入 维持 RAM芯片的控制信号 CE OE WE D0～D7 数据输出 数据输入 高阻态 0 0 0 1 1 0 1 × × 图1-3为用线选法扩展外部数据存储器电路。图中数据存储器选用6264（8K），所以需要利用A0～A12地址线，还有3条剩余的地址线。 图1-3 线选法扩展外部数据存储器电路 上图采用线选方法扩展了3片6264，对应的存储器地址如表1-3。 表 1-3 3片6264芯片对应的存储空间表 P2.7 P2.6 P2.5 1 1 0 1 0 1 0 1 1 选中芯片 IC1 IC2 IC3 地址范围 C000H－DFFFH A000H－BFFFH 6000H－7FFFH 存储容量 8KB 8KB 8KB 3 / 5

4.程序编程： #include #include sbit LED = P1^0; void main() { unsigned int i; } LED = 1; for(i=0;i<100;i++) { XBYTE[0x0000+i]=i+1; //P27P26=00 } for(i=0;i<100;i++) { XBYTE[i+0x0000+200]=XBYTE[0x0000+i]+1; } for(i=0;i<100;i++) { XBYTE[i+0xC000]=XBYTE[i]+2; } LED=0; while(1); 4 / 5

实验总结： 通过实验初步掌握了单片机的系统扩展以及线选法扩展外部数据存储器电路的原理和运用，了解了6264芯片的功能和用途。在程序中：XBYTE[0x0000+i]=i+1;表示P27P26=00；XBYTE[i+0x0000+200]=XBYTE[0x0000+i]+1;表示200=128+64+8=11001000=0xc8,此地址开始存放；XBYTE[i+0xC000]=XBYTE[i]+2;表示P27P26=11，从0000开始存放。

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