（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110182478.7 （22）申请日 2011.06.30 （71）申请人 西安电子科技大学
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
（10）申请公布号 CN102289243A
（43）申请公布日 2011.12.21
（72）发明人 王松林;来新泉;张华磊;赵永瑞;杜含笑 （74）专利代理机构 陕西电子工业专利中心
代理人 王品华
（51）Int.CI
G05F3/24;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
CMOS带隙基准源
（57）摘要
本发明公开了一种CMOS带隙基准源，主
要解决现有技术电路复杂、版图面积大的问题。它由启动电路(1)、偏置电流产生电路(2)、基准电压产生电路(3)和输出缓冲电路(4)依次电连接构成；其中，启动电路(1)产生一个低电压输出到偏置电流产生电路和基准产生电路，以使偏置电流产生电路和基准产生电路脱离零稳态；偏置电流产生电路(2)产生一个高电压输出到基准电压产
生电路和输出缓冲电路，同时反馈到启动电路，使启动电路脱离正常工作状态，并使基准电压产生电路和输出缓冲电路开始正常工作；基准电压产生电路(3)产生的基准电压经输出缓冲电路(4)输出给外部电路。本发明具有结构简单、版图面积小和失调低的特点，可广泛应用在大规模集成电路中。
法律状态
法律状态公告日2011-12-21 2011-12-21 2012-02-08 2012-02-08 2013-06-12 2013-06-12 2020-06-23
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止
权利要求说明书
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CMOS带隙基准源
