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模拟电子技术基础中的常用公式

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模拟电子技术基础中的常用公式

模拟电子技术基础中的常用公式

7.1 半导体器件基础

GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示:

iD?IR(sat)(euDVT?1)

式中,iD为流过二极管的电流,uD。为加在二极管两端的电压,VT称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为VT = kT/q其中T为热力学温度,单位是K;q是电子的电荷量,q=1.602×10-19C;k为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J/K。室温下,可求得VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。

GS0102 直流等效电阻RD

直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比,即

RD?UD IDRD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是,使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间,反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大,二极管的单向导电性能越好。

GS0103 交流等效电阻rd rd?(duD)Q diDrd亦随工作点而变化,是非线性电阻。通常,二极管的交流正向电阻在几~几十欧姆之间。 需要指出的是,由于制造工艺的限制,即使是同类型号的二极管,其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的,使用时应注意条件。

GS0104

IZmin<Iz<IZmax

其中稳定电流IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。IZ 通常在最小稳定电流IZmin与最大稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流,电流低于此值时,稳压效果差;IZmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流,超过此电流时,只要超过额定功耗,稳压管将发生永久性击穿。故一般要求IZmin<Iz<IZmax 。

- 70 -

电子技术基础知识点

GS0105 IC = INC + ICBO ≈ INC GS0106 IB = IPB + IPE - ICBO ≈IPB - ICBO GS0107 IE=INE+IPE ≈INE GS0108 INE = INC +IPB GS0109 GS0110

GS0111

GS0112 GS0113 GS0114

GS0115 GS0116 GS017 GS0118 GS0119 GS0120 GS0121 GS0122 GS0123 GS0124 GS0125 GS0126 GS0127 IE =IC + IB

??INCIC?II?CBOI PBB?ICBO??ICI BIC??IB?(1??)ICBO IC??IB?ICEO IE?(1??)IB?ICEO

??INCI E?IC?ICBOICI? EIEIC??IE?ICBO

IB?(1??)IE?ICBO ??INCINCINCINC?I?1??)I?I??? E(BCEO(1??)IB(1??)IPB1?? IB?f(UBE)|UCE?C (C表示常数) IC?f(UCE)|IB?C (C表示常数) ??ICI B???IC?I|UCE B???IC?I|UCB EICEO?(1??)ICBO PCM =ICUCE ID?IDSS(1?UGSV)2,IDSS是UGS=0时的漏极饱和电流,VP称为夹断电压。 P- 71 -

?

模拟电子技术基础中的常用公式

7.2 基本放大电路

GS0201 GS0202 GS0203

IB?EC?UBEEC?

RbRbIC??IB?ICEO??IB UCE?EC?ICRC

基本放大电路(固定偏置电路)静态工作点求解公式。

GS0204

Au?Ai?Ap?UO UiIo IiPoUoIo??AuAi PiUiIiUO?20lgAu(dB) UiIo?20lgAi(dB) IiGS0205

GS0206

GS0207

Au(dB)?20lgGS0208 Ai(dB)?20lgGS0209

Ap(dB)?10lgPo?10lgAp(dB) PiGS0210

ri?ro?Ui RL = ∞ IiUo IoUi = 0

GS0211

'? (RLGS0214 uce??icRL?RcRL)

GS0218 为了避免瞬时工作点进入截止区而引起截止失真,则应使:Ic?ICM?ICEO

UCE?UOM?UCES GS0219 为了避免瞬时工作点进入饱和区而引起饱和失真,则应使:

GS0220

rbe?rbb'?(1??)26(mV)

IE(mA)式中 rbb'表示晶体管基区的体电阻,对于一般的小功率管约为200Ω左右(计算时,若未给出,可取为200Ω),IE为通过管于发射极的静态电流,单位是mA。在IE ≤5mA范围内,式GS0220计算结果与实际测量值基本一致。

GS0221

UB?Rb2EC

Rb1?Rb2- 70 -

模拟电子技术基础中的常用公式

模拟电子技术基础中的常用公式模拟电子技术基础中的常用公式7.1半导体器件基础GS0101由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示:iD?IR(sat)(euDVT?1)式中,iD为流过二极管的电流,uD。为加在二极管两端的电压,VT称为温度的电压当量,与
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