号（LDAR=0），打开存储器片选，使处于写状态（CE=0，WE=1），由开关给出此单元要写入的数据，按动START 产生T3 脉冲将数据写入到当前的地址单元中。写其它单元依次循环上述步骤。 写存储器流程如下：（以向00 号单元写入11 为例）
(4) 读存储器 依次读出第 00、01、02、03、04 号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，读每个单元也需要两步，第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写存储单元的地址，按动START 产生T3 脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步读存储器，关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），关掉数据开关三态门（SW-B=1），片选存储器，使它处于读状态（CE=0，WE=0），此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读其它单元依次循环上述步骤。读存储器操作流程如下：（以从00 号单元读出1 1 数据为例。 (5)将存储单元内数据进行运算 在原来实验连线的基础上，按如下所示图连线。 5 其中，由于某些端口需要重复连接，所以为防止出现运算错误，借连接到其他端口上。，如：ALU-B借连接到299-B，LDDR1借连接到LDPC，LDDR2借连接到AR上。 ① 进行读操作，读出03号地址中数据，然后置SW-B=1,ALU-B=1(即使299-B开关置1)， LDAR=0,CE=0,LDDR1=1(LDPC=1),LDDR2=0( AR=0),按动微动开关KK2，则将03号地址中的数据输入保存到LDDR1中。 ② 进行读操作,读出04号地址中数据,然后SW-B, ALU-B, LDAR, CE开关置数保持不 变,LDDR1=0,LDDDR2=1,按动微动开关KK2，则将04号地址中数据输入保存到LDDR2。 ② SW-B=1，ALU-B=0，CE=1,再分别将S3、S2、S1、S0、M、Cn分别置为，则3、4号地址中数 据进行加法运算。 ④ 将结果送入8号单元，将LDDR1，LDDR2全置0，然后按动微动开关KK2，将加法运算的结果送入 LDDR1中，接着进行写地址操作：CE=1，LDAR=1，SW-B=0，由开关给出地址（），按动START键产生T3脉冲将地址打入地址锁存器。然后写入数据： SW-B=0,ALU-B=0，按动KK2开关，将LDDR1中的数据输出到总线上，然后关闭地址锁存器LDAR=0打开存储器片选，使CE=0，WE=1，按动START开关将总线上的数据写入到8号地址单元中。 五、实验总结 经过存储器试验，我深刻认识到存储器的工作原理，以及存储器在写存储和读存储的过程。熟练地掌握了计算机五大模块之一的存储器，在连线过程中我也能够更加熟练地连接线，有了很大的收获， 由于线路在写、读数据和进行运算时，线路有共用现象，所以在进行写、读数据的时候要保持ALU-B关闭，在进行运算器运算时要关闭片选CE，否则会出现地址和数据混乱的情况，不能得到正确的输入和输出结果，在实验的时候要特别注意。
计算机组成原理-控制器实验报告
