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第四章 晶体二极管与晶体三极管
本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在
电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。
第一节 晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法
一、 中华人民共和国国家标准（GB249-74）
国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。
表4-1 国标半导体器件型号命名方法
第四部第五部第一部分 第二部分 第三部分 分 分 用数字汉语拼用数字表示器件电用汉语拼音字母表示器件的材料用汉语拼音字母表示器件的类型 极数目 和极性 件的序表示规号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 低频大功率A 2 二极管 高频大功率B P型锗材料 V 微波管 A 管 N型锗材料 P 普通管 D 管 格号 表示器音字母* *
半导体闸流C N型硅材料 W 稳压管 T 管 低频小功率D P型硅材料 C 参量管 X 管 高频小功率 Z 整流管 G 管 A B C D 3 三极管 E 低频小功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率<1W，高频小功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率<1W，备注 低频大功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率≥1W，高频大功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率≥1W。 Y 体效应管 化合物材料 K B 开关管 雪崩管 PIN JG PIN管 激光器件 PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 L S N 整流堆 隧道管 阻尼管 J CS BT FH 阶跃恢复管 场效应管 特殊器件 复合管 U 光电器件 例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即
３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）
二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法
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表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 美国电子半导体协会（EIA）登记顺序号 符号 意义 第五部分 用音字母表示器件分档 符号 意义 用符号表示用用数字表示PN结的美国电子半导体协会途的类别 符号 JAN军用品 或J 2 三极管 3个PN结器3 非军用无 品 4 件 N个PN结器件 N 导体协会登记顺序号 该器件已在美国电子半意义 符号 1 数目 意义 二极管 （EIA）注册标志 符号 意义 该器件已在美同一型国电子半导体多位数字 协会登记顺序档别 号 ABCD 号不同三、日本半导体器件型号命名方法
表4-3 日本半导体器件型号命名方法
第二部分：日本 第一部分：器件 电子工业协会 类型或有效电极数 注册产品 数含义 字 0 光敏二极管、晶体管S 表示已在日A PNP型高频管 字母 含义 字母 含义 第三部分：类别 登记序号 第四部分： 第五部分： 产品 改进序号 用两位以上的用字母A、B、整数表示在日C、D……表示 本电子工业协对原来型号的
晶体二极管与晶体三极管
