实验报告芯片解剖实验报告
课程名称：芯片解剖实验 学 号： 姓 名： 教 师： 年6月28日
实验一 去塑胶芯片的封装 实验时间： 同组人员： 一、实验目的
1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。 2.了解集成电路工艺流程。 3.掌握化学去封装的方法。 二、实验仪器设备 1：烧杯，镊子，电炉。 2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。 3：超纯水等其他设备。 三、实验原理和内容 实验原理：
1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装 （1）塑料封装（环氧树脂聚合物）
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双列直插 DIP、单列直插 SIP、双列表面安装式封装 SOP、四边形扁平封装 QFP 具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装 SOJ
（2）陶瓷封装
具有气密性好，高可靠性或者大功率
A.耐熔陶瓷（三氧化二铝和适当玻璃浆料）：针栅阵列PGA、陶瓷扁平封装 FPG
B.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装 LCCC 2..集成电路工艺 （1）标准双极性工艺 （2）CMOS工艺 （3）BiCMOS工艺 3.去封装 1．陶瓷封装 一般用刀片划开。 2. 塑料封装
化学方法腐蚀，沸煮。
（1）发烟硝酸 煮（小火） 20~30分钟 （2）浓硫酸 沸煮 30~50分钟 实验内容： 四、实验步骤
1.打开抽风柜电源，打开抽风柜。
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2.将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。 3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。（操作时一定注意安全）
4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。（注意：火不要太大）
5.观察烧杯中的变化，并做好记录。
6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。
7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。 五、实验数据
1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应，
此时溶液颜色开始变黑。
2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。
3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。 4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。
六、结果及分析
1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。
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2：在芯片去塑胶封装的时候，加热一定要小火加热，因为发烟盐酸是易挥发物质，如果采用大火加热，其中的酸累物质变会分解挥发，引起容易浓度变低，进而可能照成芯片去封装不完全，或者去封装速度较慢的情况。
3：通过实验，了解了去塑胶封装的基本方法，和去封装的一般步骤。
实验二 金属层芯片拍照 实验时间： 同组人员： 一、实验目的
1．学习芯片拍照的方法。 2．掌握拍照主要操作。
3. 能够正确使用显微镜和电动平台 二、实验仪器设备 1：去封装后的芯片
2：芯片图像采集电子显微镜和电动平台 3：实验用PC，和图像采集软件。 三、实验原理和内容 1：实验原理
根据芯片工艺尺寸，选择适当的放大倍数，用带CCD摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片，注意拍照时的清晰度。2：实验内容
采集去封装后金属层照片。
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四、实验步骤
1.打开拍照电脑、显微镜、电动平台。
2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转到底（即载物台最低），小心取下载物台四英寸硅片平方在桌上，用塑料镊子小心翼翼的将裸片放到硅片靠中心的位置上，将硅片放到载物台。
3.小心移动硅片尽量将芯片平整。
4.打开拍照软件，建立新拍照任务，选择适当倍数，并调整到显示图像。（此处选择20倍物镜，即拍200倍照片）
5.将显微镜物镜旋转到最低倍5X，慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升，直到有模糊图像，这时需要小心调整载物台位置，直至看到图像最清晰。
6.观察图像，将芯片调平（方法认真听取指导老师讲解）。 10.观测整体效果，观察是否有严重错位现象。如果有严重错位，要进行重拍。
11.保存图像，关闭拍照工程。
12.将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即： 5X）。 13.逆时针旋转粗调焦旋钮，使载物台下降到最低。 14.用手柄调节载物台，到居中位置。 15.关闭显微镜、电动平台和PC机。 五、实验数据
采集后的芯片金属层图片如下： 六、结果及分析
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