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第1章 半导体器件
一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用\√\表示对,用\×\表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）
2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ）
4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）
5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ）
8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ）
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10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）
11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ）
13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ）
15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ）
16、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。（ ）
17、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的
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rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。（ ）
18、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到
?UBE0.6?0??60(k?) ?IB10?0rbe? （ ）
二、选择题
(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论)
. 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对
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第1章 半导体器件习题及答案
