模拟电子技术基础知识点总结.

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模拟电子技术复习资料总结

一。半导体的基础知识

第一章 半导体二极管

1.半导体——-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2。特性—-—光敏、热敏和掺杂特性。

３.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。

4。两种载流子-—--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体——-—在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）. 6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关. *体电阻——-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. ＰN结

* ＰN结的接触电位差——－硅材料约为0。6~0。8V，锗材料约为0。2～０.３V． * PN结的单向导电性－--正偏导通，反偏截止. 8。 PN结的伏安特性

二。 半导体二极管

＊单向导电性—－－-—－正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性－——-同ＰＮ结。

＊正向导通压降——--——硅管0．６~0.7V,锗管0.2~0.3V。 ＊死区电压--—-—－硅管0。5V,锗管0。1V。

3.分析方法--—－—-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低： 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通（短路); 若 V阳 ＜V阴（ 反偏 )，二极管截止(开路)。 1)图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

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2） 等效电路法

? 直流等效电路法

＊总的解题手段-———将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 Ｖ阳 〉Ｖ阴( 正偏 ），二极管导通(短路); 若 Ｖ阳

? 微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性—--正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章§２-1三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点 1。类型-—-分为NPN和PNP两种.

2．特点—－-基区很薄,且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二。 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态

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2． 三极管内各极电流的分配

＊ 共发射极电流放大系数 （表明三极管是电流控制器件

式子

3。 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线—-—同二极管。

称为穿透电流。

* 输出特性曲线

(饱和管压降,用UCES表示

放大区--－发射结正偏，集电结反偏。 截止区－－-发射结反偏,集电结反偏. 4. 温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动． 温度升高IＣBO、IＣEO、ＩC以及β均增加。 三。 低频小信号等效模型(简化) hie-—-输出端交流短路时的输入电阻， 常用rbe表示；

hfe－——输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用β表示;

四。 基本放大电路组成及其原则

1。 VT、ＶＣC、Rb、Rc 、C1、C２的作用． 2.组成原则--－-能放大、不失真、能传输。 五。 放大电路的图解分析法 １。 直流通路与静态分析

＊概念—-－直流电流通的回路． *画法—-—电容视为开路。

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