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模拟电子技术基础(第四版)习题解答 

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∴Au?Au1?Au2??225

Ri?R1//R2//rbe1?1.35k?; Ro?R3?3k?。

在图(b)所示电路中 ∵Au1???1?(R1//rbe2)rbe1??136;Au2???2R4rbe2??75

∴Au?Au1?Au2?10200

Ri?(R5?R2//R3)//rbe1?2k?; Ro?R4?1k?

3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示,晶体管的β均为200 , rbe均为3k?。场效应管的gm为15mS ; Q 点合适。求解Au、Ri和Ro。

解:在图(c)所示电路中 Au1???1?(R3//rberbe12)?R??125;Au2??24??133.3

rbe2 Au?Au1?Au2?16666.7;Ri?R1//rbe1?3k?; Ro?R 4?2k? 在图(e)所示电路中

Au1??gm{R2//[rbe?(1??)R4]}??gmR2??30Au2??(1??)R4?1

rbe?(1??)R4Au?Au1?Au2??30; Ri?R1?10M?; Ro?R4//

rbe?R2?25?1??

3.6图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,rbb'?100?,

UBEQ?0.7V。试求Rw的滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ以及动

态参数Ad和Ri。

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图P3.6 图P3.7

解:Rw 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ分析如下:

∵UBEQ?IEQ? ∴IEQRW?2IEQRe?VEE 2VEE?UBEQ??0.517mA RW?2Re2 动态参数Ad和Ri分析如下: rbe?rbb'?(1??)26mV?5.18k? IEQ Ad???Rc??98

rbe?(1??)RW/2 Ri?2rbe?(1??)RW?20.5k?

3.7电路如图P3.7所示,T1和T2两管的β均为140,rbe均为4kΩ。试问:若输入直流信号uI1?20mV,uI2?10mV,则电路的共模输入电压uIc??差模输入电压uId??输出动态电压?uo??

解:电路的共模输入电压uIC、差模输入电压uId、差模放大倍数Ad和动态电压

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?uO 分别为:uIC?uI1?uI2?15mV; uId?uI1?uI2?10mV 2??175; ?uO?AduId??1.75V

Ad???Rc2rbe

3.8 电路如图P3.8所示,Tl和T2的低频跨导gm均为10mS。试求解差模放大倍数和输入电阻。

图P3.8 图P3.9

解:差模放大倍数和输入电阻分别为:

?00 Ad??gmRd?2; Ri??。

3.9试写出图P3.9 所示电路Ad和Ri的近似表达式。设Tl和T2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e 间动态电阻分别为rbe1和rbe2。

解:Ad和Ri的近似表达式分别为

RL)2 Ad??; Ri?2[rbe1?(1??1)rbe2]

rbe1?(1??1)rbe2?1?2(Rc//

3.10电路如图P3.10 所示,Tl ~T5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e间动态电阻分别为rbe1~rbe5,写出Au、Ri和Ro的表达式。

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图P3.10 图P3.11

解:Au、Ri和Ro的表达式分析如下: Au1?

?uO1?1{R2//[rbe4?(1??4)R5]}? ?uI2rbe1?uO2?{R//[r?(1??5)R7]}??46be5 ?uI2rbe4?(1??4)R5?uO3(1??5)R7? ?uI3rbe5?(1??5)R7?uOr?R6?Au1?Au2?Au3; Ri?rbe1?rbe2; Ro?R7//be5 ?uI1??5 Au2? Au3?∴Au?3.11 电路如图P3.11 所示。已知电压放大倍数为-100 ,输入电压uI为正弦波,

T2和T3管的饱和压降UCES=1V 。试问:

(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值Uimax为多少伏? (2)若Ui= 10mV(有效值),则Uo=?若此时R3开路,则Uo=?若R3短路,则Uo=? 解:(1)最大不失真输出电压有效值为:Uom?VCC?UCES?7.78V 2故在不失真的情况下,输入电压最大有效值: Uimax?(2)Ui= 10mV ,则Uo=1V(有效值)。

Uom?77.8mV Au若R3开路,则Tl和T3组成复合管,等效???1?3, T3可能饱和,使得UO??11V(直流);若R3短路,则UO?11.3V(直流)。

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第4章 集成运算放大电路

自测题

一、选择合适答案填入空内。

(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。

A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容

(2)通用型集成运放适用于放大( B )。

A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。

A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻

(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路

二、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流IIO是两输入端电流之差。( √ )

(3)运放的共模抑制比KCMR?Ad。( √ ) Ac(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ )

(5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × )

三、电路如图T4.3 所示,已知β1=β2=β3= 100 。各管的UBE均为0.7V , 试求IC2的值。

解:分析估算如下:

IR?IB2?VCC?UBE2?UBE1?100?A

R2IB0??IB02???IB0;

1??1??2????)IB01??

40

IR??IB0?IB2?(

模拟电子技术基础(第四版)习题解答 

∴Au?Au1?Au2??225Ri?R1//R2//rbe1?1.35k?;Ro?R3?3k?。在图(b)所示电路中∵Au1???1?(R1//rbe2)rbe1??136;Au2???2R4rbe2??75∴Au?Au1?Au2?10200Ri?(R5?R2//R3)//rbe1
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