解：答案如解图Pl.8所示。
放大倍数分别为?a?1mA/10?A?100和?b?5mA/100?A?50
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解:如解图1.9。
解图1.9
1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时UBE?0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压uO的值。
解： (1)当VBB?0时，T 截止，uO?12V。
(2)当VBB?1V时，因为
IBQ?VBB?UBEQRb?60?A
ICQ??IBQ?3mA
uO?VCC?ICQRc?9V 图P1.10
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所以T处于放大状态。
(3)当VBB?3V时，因为IBQ?VBB?UBEQRb?460?A，
ICQ??IBQ?23mAICS?VCC?UCES?11.3mA， 所以T处于饱和状态。
Rc1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,UBE?0.2V，饱和管压降
UCES?0.1V；稳压管的稳定电压UZ?5V, 正向导通电压UD?0.5V。试问：当uI?0V时uO?？；当uI??5V时uO?？
解：当uI?0V时，晶体管截止，稳压管击穿，
uO??UZ??5V。
当uI??5V时，晶体管饱和，
uO??0.1V。
因为： 图P1.11
IB?
uI?UBE?480?A，IC??IB?24mA，UEC?VCC?ICRc?0 Rb1.12分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)
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(d) (e)
图P1.12
解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。
1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。
解图Pl.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14 (a) (b)
解图Pl.14
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解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及uGS值，建立iD?f(uGS)坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14 (b)所示。
1.15电路如图P1.15所示，T的输出特性如图Pl.14所示,分析当uI=4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.14 所示T的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图Pl.15所示电路可知uGS?uI。
当uI=4V时，uGS小于开启电压，故T 截止。 当uI=8V时，设T 工作在恒流区，根据输出 特性可知iD?0.6mA，管压降uDS?VDD?iDRd?10V， 因此，uGD?uGS?uDS??2V，小于开启电压，
说明假设成立，即T工作在恒流区。 图Pl.15
当uI=12V时，由于VDD?12V，必然使T工作在可变电阻区。
l.16分别判断图Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a) (b) (c) (d)
图P1.16
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。
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补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压UZ?3V, R 的取值合适，
uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。
(a) (b) (c)
补图P1 解：波形如下图所示
补充2.在温度20oC时某晶体管的ICBO?2?A,试问温度是60oC时的ICBO?？
44解:ICBO60?ICBO20?2?2?2?32?A。
补充3.有两只晶体管，一只的β=200 , ICEO?200?A；另一只的β=100 ,
ICEO?10?A，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
解：选用β=100 , ICEO?10?A的管子，因其β适中,ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取UCES?UBE，若管子饱和，
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模拟电子技术基础（第四版）习题解答
