第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管
三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3
解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)
图T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，?=100，UBE=0.7V。 试问：
(1)Rb=50k?时，Uo=?
(2)若T临界饱和，则Rb=?
解：(1)IB?VBB?UBE?26?A，
RbIC??IB?2.6mA,
UO?VCC?ICRc?2V。 图T1.5
(2)∵ICS?VCC?UBE?2.86mA， IBS?ICS/??28.6?A
Rc ∴Rb?VBB?UBE?45.5k?
IBS六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表T1.6 管号 T1 T2
UGS(th)/V 4 -4 US/V -5 3 UG/V 1 3 UD/V 3 10 工作状态 恒流区 截止区 2
T3 -4 6 0 5 可变电阻区 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6最后一栏所示。
习题
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。
A.增大； B.不变； C.减小
1.2电路如图P1.2 所示，已知ui?10sin?t(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2
解：ui与uo的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知ui?5sin?t(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形图，并标出幅值。
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模拟电子技术基础(第四版)习题解答
