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《计算机组成与设计》勘误表——学生版

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《计算机组成与设计》勘误表

0)P7 图1-8中“系统员”改为“系统管理员”。 1)P56 图2-10(b)修改为:

指令格式及操作码编码OP_Code00000001…0111OP_Code10001001…111110001001…111110001001…111100000001…0111OP_Code10001001…111110001001…111100000001…011110001001…111100000001…111116位操作码的零地址指令共8192条12位操作码的一地址指令共512条A8位操作码的二地址指令共64条A1A24位操作码的三地址指令共8条A1A2A3说明OP_Code

(b)等长8/64/512/8192扩展法

2)P65第一段最后一句(因此,寻址范围由偏移量的位数决定。)删去。 3)P81 习题2.14中第一行删去“单地址”三个字。 4)P87 第一段最后一句:“则存储容量=存储单元个数×存储字长/8,单位是字节(B)。”,改为:“则存储容量等于所存放的字节数。” 5)P92 图3-5中“解码器”改为:“译码器”。 6)P97 图3-9(a)(b)图中“D1…Dm”改为:“D0…Dm-1”。图3-9(a)“数据输出缓冲器”改为:“数据输出驱动器”。

7)P97 图3-10中“1677216”改为:“16M”。

7a)P102图3-14给出了一个MOS管型MROM的逻辑结构。其存储容量为16×1位,4行保存的信息分别为1001、1010、0101和0101 8)P104 图3-17(b)中“D1” 改为:“D0”。 9)P108最后一段中,“对于ROM芯片来说,它通常没有-WE引脚,” ,改为:“对于ROM芯片来说,它通常没有-WE引脚(EEPROM除外),”。 10)P109最后一段中,“图3-24给出了16个256K×8位DRAM芯片构成1M×32位存储器的芯片扩展示意图。”,改为:“图3-24给出了16个256K×8位DRAM芯片(内部采用8体结构)构成1M×32位存储器的芯片扩展示意图。” 11)P110 图3-24中,“A12~9”改为:“A17~9”。

12)P111 图3-25中,“74318(3-8译码器)”改为“74LS138(3-8译码器)”。 图3-26中, \WR\改为\WE\增加\定时发生器\到\地址多路开关\间的连线(选通控制信号) ,并且地址总线加粗;删除“目前,DRAMC大多被集成到DRAM芯片中”。

13)P113图改为如下:

+5VMREQA15 A14 A13 A12 CBAG2AY0G2BG174LS138(3-8译码器)Y2Y1Y3CPUA11 ~A0 4K×4ROMCS4K×4ROMCS4K×8RAMCSCSWE4K×8RAMCSR/WD3 ~D0 D7 ~D4

14)P114图3-27中,右边框中的“奇地址”改为“偶地址”。图3-27中删除\地址锁存器\

15)P115图3-29修改如下:

D7~D0A0A16A15A14A13~A1G2ACBA…M/IOA19~A1774LS138Y0G1≥1G2BD7~D0CS8K×8位SRAM (1)OEWEA12~A0CSD7~D0… 8K×8位SRAM (8)OEWEA12~A0偶存储体Y774LS138Y0G1G2BBHEG2ACBACPUY7A12~A0CS8K×8位SRAM (1)OEWED7~D0CSA12~A0…… 8K×8位SRAM (8)OEWED7~D0奇存储体D15~D8WRRD

16)P118中间一段中,“包括地址线(A0~A10)、数据线(D0~D15)、读写控制CE、输出驱动控制OE、忙标志BUSY。”,改为:“包括地址线(A0~A10)、数据线

《计算机组成与设计》勘误表——学生版

《计算机组成与设计》勘误表0)P7图1-8中“系统员”改为“系统管理员”。1)P56图2-10(b)修改为:指令格式及操作码编码OP_Code00000001…0111OP_Code10001001…111110001001…111110001001…111100000001…0111OP_Code10001001…11111000100
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