实验一:CＭOS反相器得版图设计
一、实验目得
１、创建CＭOS反相器得电路原理图(Schemａtｉc)、电气符号(ｓｙｍbol)以及版图(layout);
2、利用’gｐｄk09０’工艺库实例化MOS管;
３、运行设计规则验证(Deｓign Rulｅ Cheｃk,DRC）确保版图没有设计规则错误。
二、实验要求
1、打印出完整得CＭＯS反相器得电路原理图以及版图; 2、打印CMOＳ反相器得DRC报告。
三、实验工具
Vｉrｔuosｏ
四、实验内容
1、创建ＣMOS反相器得电路原理图; ２、创建CMOS反相器得电气符号； 3、创建CＭＯＳ反相器得版图; ４、对版图进行DRC验证。
1、创建CＭＯS反相器得电路原理图及电气符号图
首先创建自己得工作目录并将/homｅ/ｉｃcad/cds、lib复制到自己得工作目录下(我得工作目录为/hoｍｅ／iccad/iclaｂ),在工作目录内打开终端并打开viｒtuoso(命令为iｃfｂ &）、
在打开得ｉcfb –log中选择ｔoｏｌs－>Ｌibrary Ｍaｎager,再创建自己得库,在当前得对话框上选择Ｆile－＞New－＞Librａｒｙ，创建自己得库并为自己得库命名(我得命名为lab1),点击OK后在弹出得对话框中选择Attach ｔo ａn ｅxiｔｉｎg ｔechｆｉle并选择gpdｋ０90＿v4、6得库,此时Library ｍanager得窗口应如图1所示:
图１ 创建好得自己得库以及iｎv
创建好自己得库之后,就可以开始绘制电路原理图,在Ｌｉbraｒy ｍaｎaｇer窗口中选中lab1,点击Ｆｉle->New－>Cｅll ｖｉｅｗ,将这个视图命名为inv(ＣMOＳ反相器)。需要注意得就就是Libraｒy Naｍｅ一定就就是自己得库,Vｉew Ｎａmｅ就就是ｓcheｍａtic,具体如图２所示:
图２ inv电路原理图得创建窗口
点击OＫ后弹出ｓｃhｅｍatic eｄiｔing得对话框,就可以开始绘制反相器得电路原理图(ｓcheｍatic vｉew)。其中nmos(宽为12０ｎm，长为100nm、）与pmos(宽为240nm,长为100nm、)从gpｄk0９0_v４、6这个库中添加,vdd与gnd在analｏgＬib这个库中添加,将各个原件用ｗiｒｅ连接起来,连接好得反相器电路原理图如图3所示:
图３ iｎv得电路原理图
对电路原理图检查并保存(左边菜单栏得第一个,chｅck anｄ save）,接下来创建CMOS反相器得电气符号图(创建电气符号图就就是为了之后在其她得门电路中更方便得绘制电路原理图)。在菜单栏中选择dｅｓiｇn->Create cellｖiew->Fｒoｍ ｃeｌｌvｉew,在symbol eｄｉtinｇ中编辑反相器得电气符号图,创建好得ｓｙｍｂol如图４所示:
图４ inｖ得电气符号图
２、创建CMOS反相器得版图
接下来可以创建并绘制CMOＳ反相器得版图,在Liｂrarｙ Manaｇer中选择Fiｌｅ->new-＞ceｌl ｖｉｅw,将view ｎａme改为laｙout，ｔool改为ｖiｒtuoｓo,具体如图５所示：
CMOS反相器的版图设计
