专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》
一、 （共75题,共150分）
1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分）
A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B
2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。 （2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C
3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。 （2分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D
4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （2分） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A
5. （）表征了MOS器件的灵敏度。 （2分） A. B. C.
D.
.标准答案：C
6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。 （2分） A. B. C.
D.
.标准答案：B
7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。 （2分） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配
C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案：C
8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。 （2分） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器
D.Cascode负载Casocde差分放大器 .标准答案：C
9. 镜像电流源一般要求相同的（）。 （2分）
A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案：D
10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使
和
严格相等，
应取为（）。 （2分）
A.
B. C.
D. .标准答案：A
11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。 （2分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：A
12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输入电阻为（）。 （2分）
A.
B. C.
D. .标准答案：A
13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。 （2分） A.DC B.AC C.OP D.IC .标准答案：C
14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。 （2分） A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案：C
15. （）可提高图中放大器的增益。
（2分） A.减小，减小 B.增大，增大 C.增大
，减小
D.减小，增大 .标准答案：A
16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。 （2分） A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻 .标准答案：C
17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。 （2分） A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置 .标准答案：A
18. 在NMOS中，若会使阈值电压（） （2分） A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小 .标准答案：A
19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。 （2分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2分）
A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低 .标准答案：D
21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2分） A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案：C
22. 工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。 （2分） A.恒压源 B.电压控制电流源 C.恒流源 D.电流控制电压源 .标准答案：B
23. 密勒效应最明显的放大器是（）。 （2分） A.共源极放大器 B.源极跟随器 C.共栅极放大器 D.共基极放大器 .标准答案：A
24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。 （2分） A.电阻负载 B.二极管连接负载
C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载 .标准答案：C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2分） A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案：B
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。 （2分）
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案：B
27. MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的（）效应引起。 （2分） A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：B
28. PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分） A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案：B
29. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。
A
B C D （2分）
A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案：D
30. 如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。 （2分） A.大 B.小 C.近似于W D.精确 .标准答案：A
31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。 （2分） A.CGS B.CGD C.CDB
D.CSB
.标准答案：A
32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。 （2分） A.电阻负载共源级放大器 B.电流源负载共源级放大器 C.二极管负载共源级放大器 D.源极负反馈共源级放大器 .标准答案：C
33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。 （2分）
A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻
C.降低输入信号直流电平 D.增大器件的沟道长度L .标准答案：D
34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（）区。 （2分）
A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：B
35. 下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐
渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。
（2分）
A.M1 B.M2
C.两个同时进入 D.都有可能 .标准答案：D
36. 下面放大器的小信号增益为（）。 （2分）
A. ?gmro
?gmroB. 1?gmRs
C.1
D.理论上无穷大 .标准答案：A
37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。 （2分） A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路 C.减小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益 .标准答案：D
38. 下图电流镜的输出电压最小值为（）。 （2分） 2V?2VthA.OD 40. （）可提高图中放大器的增益。 （2
B.2VOD?Vth C.2VOD D.2VOD?2VGS .标准答案：C
39. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输出电阻为（）。
（2分）
RA.1?A
RB.
1?1A C.R?1?A??
D.
R1?1A? .标准答案：B
分）
??W??A.减小?L?1,2
B.仅增大L
1,2
??W??C.增大?L?1,2
D.仅减小W1,2 .标准答案：C
41. MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。 （2分） A.能 B.不能
C.不知道能不能 D.在特殊的极限情况下能 .标准答案：A
42. CMOS工艺里不容易加工的器件为（）。 （2分） A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS管 .标准答案：C
43. MOS管的特征尺寸通常是指（）。 （2分） A.W B.L C.W/L D.tox .标准答案：B
44. MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。 （2分） A.反型 B.夹断 C.耗尽 D.导通 .标准答案：C
45. 源极跟随器通常不能用作（）。 （2分）
A.缓冲器 B.放大器 C.电平移动 D.驱动器 .标准答案：B
46. 能较大范围提高阈值电压的方法是（）。 （2分）
A.增大MOS管尺寸 B.提高过驱动电压
C.制造时向沟道区域注入杂质 D.增大衬底偏置效应 .标准答案：C
47. PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。 （2分） A.电子 B.空穴 C.电荷 D.电子空穴对 .标准答案：B
48. 为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。 （2分）
A.截止 B.三极管 C.线性 D.饱和 .标准答案：D
49. MOS管中最大的电容是（）。 （2分）
A.氧化层电容 B.耗尽层电容 C.交叠电容 D.结电容 .标准答案：A
50. MOS器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。 （2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C
51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。 （2分）
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案：B
52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番 （2分） A.比尔盖茨 B.摩尔 C.乔布斯 D.贝尔 .标准答案：B
53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。 （2分） A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS .标准答案：B
54. 工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。 （2分） A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 .标准答案：D
55. 工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。 （2分） A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 .标准答案：D
56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。 （2分）
A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层 .标准答案：B
57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。 （2分） A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层 .标准答案：B
58. NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。 （2分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C
59. NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分） A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案：A
60. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
A
B C D （2分）
A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案：C
61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。 （2分）
A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益 .标准答案：A
62. 为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（） （2分） A.较大 B.较小 C.不变 D.不定 .标准答案：B
63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。 （2分） A.低 B.一般 C.高 D.很高 .标准答案：D
64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。 （2分） A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L .标准答案：A
65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。 （2分）
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