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双向可控硅及其触发电路
双向可控硅是一种功率半导体器件， 也称双向晶闸管，在单片机控制系统中， 可作为功 率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，
控制电路简单，因此特别适合做交流无触
且连接在强电网络中， 其
点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，
触发电路的抗干扰问题很重要， 通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加 载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，
交流电路双向可控硅的
由于采用过零
触发常采用过零触发电路。 （过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通， 触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）
双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图:
-------- -------------- + T2■ Tj TERM4NAL _A A A v + L >1 模式⑵ 4 ? ---------------------- 1 ■ __ T 模式⑴ -- T GATE --- -WV --- 模式⑶ ■ I --------- -L r ”广 i- T V 模式⑷ .*
----------- ■ -------- 总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够 的
导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和 T1、T2之间的电流 方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、 T2之分
再看看BT134-600E勺简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流
4A）
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PINNING ? SOT82
PIN 1 2 3 DESCRIPTION main temnmal 1 main (emnina) 2 gate SYMBOL
/ T2 \\ T1 tat) main temninal 2 ^*1\ _ _ m G LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the/^solute Maximum System (I EC 134) SYMBOL PARAMETER Repetitive p^ak off-state voltages CONDITIONS MIN. -5UO 500' MAX. -600 60& UNrT -BOO 800 IT HMS； ITS* RMS cn^state current. Non-full Eine wave Tnt. < 107 C full sine repetitwe peak wave, T = 25 'C prior to J -J A 14 推荐电路： 血C3061
M0C3063
Typical circuit for use when hot line switching is requited In this circut the IKM' side of the line is switched and the load ccmetted to me cold or neutral side. The load may be connecred to either the neutral or hot line
珂n 冷 calculated so that IF is equal to the rated Ipj of the part l5mAfor(heMOC306l 10 mA for the LIOC3062. and 5 mA far the MOC3063 Hie 39 ohm resistor and 0 01 JCF capacitor
are for snubbing of me triac and may or may not be necessary depending upon the particular triac and load used
为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发 脉冲，且触发脉冲电压应大于 4V ,脉冲宽度应大于 20us.图中BT为变压器，TPL521 - 2为 光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止， 三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机 80C51的 外部中断0的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然 后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路
A、B两点电压输出波形如图 2所示。
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IOK 1QK
團1过零检测电路
图B两点电压输出波形
过零触发电路
电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的 一种，用来驱动双向可控硅
BCR并且起到隔离的作用，
R6为触发限流电阻，R7为BCR门
极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机 80C51的P1.0引脚输出负脉冲信号时
T2导通，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流 负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，
因此，当负载电流为零时，电源电压为反
向电压，加上感性负载自感电动势 el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电 压。虽然双向可控硅反向导通， 但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一 般在双向可控硅两极间并联一个
RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图
3中的
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双向可控硅及触发电路
