一.
绪论
符号约定
大写字母、大写下标表示直流量。如:VCE、IC等。
小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。如: vCE、iB等。 小写字母、小写下标表示纯交流量。如: vce、ib等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如:二. 信号
(1)模型的转换
等。
(2)分类
(3)频谱
二.放大电路 (1)模型
(2)增益
如何确定电路的输出电阻ro
三.频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: