MOSFET损耗计算
MOSFET在开关过程中，会产生一定的损耗，主要包括以下几部分：
开通损耗
开通过程中的电压、电流和功耗波形近似如下：
Pswitch-on = 1/2* VDSiD*(t2-t0)*f
导通损耗
Pon=Id2 * Rds(on)*Ton*f
其中：
Rds(on) ：实际结温下的导通电阻，可以通过查阅datasheet中的相关曲线获得；
Id ：导通时的电流有效值； Ton ：一个周期内的导通时间； f：开关频率。
D：占空比，D＝Ton*f。
根据电流的工作模式可以分为下面3种： 电流模式 波形 计算公式 常值 0 id Pon＝Rds(on)*id2 *D ton ipeak Pon＝1/3* Rds(on)*ipeak2 *D 电流不连续 0 ton ipeak2 电流连续 Pon＝1/3*Rds(on)*[ipeak12+ ipeak1* ipeak1 0 ipeak2+ ipeak2 2 ]*D ton 关断损耗
关断过程中的电压、电流和功耗波形近似如下：
Pswitch-off = 1/2* VDSiD*(t5-t3)*f
截止损耗
Poff=VDS*IDSS*toff*f
其中：
VDS ：截止时的D-S间的电压
IDSS ：截止时的实际结温下的漏电流
toff：一个周期内的截止时间
除了以上4种损耗外，门极驱动和输出电容也会消耗一定的功耗。
门极损耗
Pgate=QG*Vgs* f*RG/(RG+Rdrive)
其中：
QG ：门极充电总电荷
RG ：MOSFET内部门极寄生输入电阻 Rdrive ：外接的门极驱动电阻
输出电容损耗
Pcoss = 1/2*Co(er)*VDS*f 其中：
Co(er) ：等效输出电容（能量一定）； VDS ：截止时的D-S间的电压
此损耗一般在开关频率较高、硬开关工作时的幅值较高，需要考虑。
有时候MOSFET的内部反并寄生二极管会流过电流，也会产生一定的功耗，寄生二极管的功耗Pdiode计算可以参考二极管的功耗计算方法。
综上，MOSFET的总损耗如下：
Ptotal = Pswitch-on + Pon + Pswitch-off + Poff + Pgate + Pcoss +Pdiode，
说明：
（1）Poff、Pgate、Pcoss这3个损耗在总的损耗中占的比重很小，设计时不用重点考虑； （2）由于电路拓扑、软开关技术、负载、开关频率的不同，Pswitch-on和 Pswitch-off在总损耗中占的比重不同。
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MOSFET损耗计算
