VDMOS器件及其制造方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010551474.7 （22）申请日 2010.11.19

（71）申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

（10）申请公布号 CN102468334A

（43）申请公布日 2012.05.23

（72）发明人 王乐

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 常亮

（51）Int.CI

H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

VDMOS器件及其制造方法

（57）摘要

本实施例公开了一种VDMOS器件及其制造

方法，该器件包括：基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；位于外延层内的隔离区；位于隔离区两侧外延层内的第一体区和第二体区；位于所述第一体区内的第一源区，位于所述第二体区内的第

二源区；位于所述第一源区和第二源区之间，且位于所述隔离区上方的栅区。本发明通过在第一体区和第二体区之间的外延层内形成绝缘的隔离区，消除了导电通道向第一体区和第二体区之间的外延层区域扩散的过渡区间，消除了VDMOS器件的寄生电阻，降低了器件的总的导通电阻，提高了器件的电性，由于寄生电阻的消失，减小了器件元胞的占用面积，提高了基底表面的利用率。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2012-05-23 公开 2012-05-23 公开

2012-07-04 实质审查的生效 2012-07-04 实质审查的生效 2014-01-22 授权 2014-01-22 授权

2017-12-08

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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