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(新)高一电子技术基础期中试题

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高一电子技术基础期中试题 试题说明:将选择题的答案填写到答题卡上,否则选择题不给分,交卷时只交答题纸 一. 单项选择题 1.用于制造半导体器件的半导体材料是:() A.磷 B.硅 C.铜 D.银 2.在纯净半导体中掺入3价元素形成的是()型半导体 A.空穴型 B.N C.PN D.电子型 3.P型半导体中,多数载流子是() A.空穴 B.电子 C.电子空穴对 D.原子核 4.晶体二极管内部是由()所构成的。 A.一个PN结 B.俩个PN结 C.两块N型半导体 D. .两块P型半导体 5.硅二极管的导通压降为() A.0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.3V 6.锗二极管的VT为() A.0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.3V 7.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为0的电源实行正向连接,则该管()A.电流为0 B.击穿 C.过流损坏 D.截止 8.半波整流电路的变压器二次侧电压为10V,其负载上的直流电压为() A.9V B.4.5V C.2.2V D.2.2V 9.桥式整流电路输出的直流电压为变压器二次侧电压有效值的()倍 A.0.45 B.0.707 C.1.414 D.0.9 10.在桥式整流电路中,若有一只整流二极管开路,则() A.可能烧毁元件 B.输出电流变大 C.电路变为半波整流 D.输出电压为0 11.电容滤波器是把电容与负载() A.串联 B.并联 C.混联 D.直连 12.电容滤波之后,输出电压比原来不滤波的输出电压() A.降低 B.不变 C.升高 D.无法确定 13.稳压管的稳定电压VZ是指其() A.反向偏置电压 B.反向击穿电压 C.正向导通电压 D.死区电压 14.光电二极管有光线照射时,反向电阻() 看人生峰高处,唯有磨难多正果。

一切事无法追求完美,唯有追求尽力而为。这样心无压力,最后的结果反而会更好。 A.减少 B.增大 C.基本不变 D.无法确定 15.三极管的内部有()个PN结 A.1 B.2 C.3 D.4 16.三极管的主要特性是具有()作用 A.电压放大 B.电流放大 C.单向导电 D.电压和电流放大 17.三极管处于截止状态时() A.发射结正偏,集电结正偏 B. 发射结正偏,集电结反偏 C. 发射结反偏,集电结反偏 D. 发射结反偏,集电结正偏 18.用万用表测量小功率二极管或三极管,应使用()进行测量 A.RX1电阻档 B. RX10K电阻档 C. RX1K电阻档 D.10V直流电压档 19.将基本放大电路的输入端对地短路,则电路所处的工作状态是() A.动态 B.静态 C.截止状态 D.放大状态 20.基本放大电路中,输入信号νi与输出信号νo相位() A.相同 B.相反 C.正半周时相同 D.负半周时相反 21.基本放大电路中,输入耦合电容C1的作用是() A.通直隔交 B.隔直通交 C.通直通交 D.隔直隔交 22.如图右所示,电源电压为9V,三极管c,e两极间电压为5V,e极电压为1V,说明该三极管处于()状态。 A.截止 B.放大 C.饱和 D.短路 23.画放大电路的直流通路时,应将电容视为() A.短路 B.电池 C.断路 D.导线 24.在共射放大电路中,偏置电阻Rb增大,三极管的() A.VCE减小 B.IC减小 C.IC增大 D.IB增大 25.分压式偏置放大电路中,起稳定静态工作点的主要元件是() A.Rc B.Re C.RL D.C1 26.下列选项中,影响静态工作点稳定的主要因素是() A.电源电压的变化 B.三极管老化 C.温度变化 D.电路参数变化 27.某两级阻容耦合放大电路,单级在负载开路时的放大倍数均为AV1,则级联后总的放大倍数AV为() A.AV=2AV1 B.AV=AV1*AV1 C.AVAV1*AV1 28.一个多级放大器由两个相同的放大器组成,已知每级的通频带为15KHZ,放大器的总通频带为() A. 15KHZ B.30KHZ C.大于15KHZ D.小于15KHZ 29.下列选项中不属于多级放大器的耦合方式的是() 1

A.阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合 D.无线耦合 30.放大电路根据输入和输出电路公共端的不同,有三种接法,下了选项中不是的是() A.共基极放大电路 B.共射极放大电路 C.电压跟随器 D.功率放大器 答题纸姓名 班级 一、 单项选择题(60分) 线 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 二. 判断题(10分) 1. ( )二极管具有单向导电性。 订2. ( )二极管加正向电压时一定导通。 3. ( )一个三极管相当于两个二极管并联。 4. ( )对脉动直流电滤波的目的是为了提高输出电压。 5. ( )放大器带负载比不带负载时的放大倍数小。 6. ( )放大电路静态工作点过高时,在其他条件不变时,可以增加基极电阻阻值。 7. ( )放大电路在工作时,同时存在直流和交流分量。 8. ( )造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压波动。 9. ( )共集电极放大电路放大倍数为1,因此它不算放大器。 10.( )采用阻容耦合的多级放大器,前后级的工作点互相影响。 三. 填空题(每小题2分 共20分) 装1.二极管处于反向偏置时,呈现的内阻 ,可等效开关 。 2.稳压二极管正常工作时应加 向电压,在其电路中需串联一只 电阻,看人生峰高处,唯有磨难多正果。 一切事无法追求完美,唯有追求尽力而为。这样心无压力,最后的结果反而会更好。 才能保证管子的正常可靠工作。 3.半波整流电路中二极管承受反向电压的最大值为变压器次级电压有效值的 倍 4.滤波器可将输入的脉动直流电变为 。 5.晶体管工作在放大状态的条件是发射结要加 偏置电压,集电结要加 偏置电压。 6.分析放大电路的常用方法有 法和 法两种。 7.放大电路的电压放大倍数为60,电流放大倍数为40,则它的功率放大倍数为 。 8.已知某小功率三极管IB=20uA,估算其输入电阻rbe= . 9.共射极放大电路若出现截止失真,输出电压波形的 半周将出现切割失真,解决的办法是将 。 10.有一个三级放大电路,已知各级电压放大倍数为-54、0.98、-20,则总电压放大倍数为 ,输出电压与输入电压相位 。 四. 作图题(8分) 在下面的电路(a)中,若VCC=20V,Rb=500KΩ,Rc=5kΩ,在(b)图上画出直流负载线,确定静态工作点Q,并读出放大器的静态工作点ICQ,VCEQ的值。 要求:使用铅笔及直尺作图,必要的辅助线画虚线 2 姓名 班级 考号 . 一切事无法追求完美,唯有追求尽力而为。这样心无压力,最后的结果反而会更好。 2.分压式偏执放大电路如下图所示,已知三极管V的β=40,VCC=12V,RC=3K ICQ= 、VCEQ= 五. 分析计算题(22分) 1.一桥式整流电容滤波电路,负载电阻RL=200Ω,V2=18V,试分析选用IFM=60mA,VRM=75V的整流二极管是否合适?(8分) 线 订 看人生峰高处,唯有磨难多正果。

Ω,Re=500Ω,Rb1=47KΩ,Rb2=10KΩ(14分) ①分别画出直流通路、交流通路、和微变等效电路。 ②估算静态工作点Q。 ③求放大电路的电压放大倍数Av和输入电阻Ri及输出电阻Ro. 3

班级 考号 .

(新)高一电子技术基础期中试题

高一电子技术基础期中试题试题说明:将选择题的答案填写到答题卡上,否则选择题不给分,交卷时只交答题纸一.单项选择题1.用于制造半导体器件的半导体材料是:()A.磷B.硅C.铜D.银2.在纯净半导体中掺入3价元素形成的是()型半导体A.空穴型B.NC.PND.电子型3.P型半导体中,多数载流子是()A.空穴B.电子C.电子空穴对D.原子核4.晶体二
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