62第5章2 - 两种稳定状态下的基区少子分布 - 图文 

知识点名称半导体器件物理(1)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-1 BJT的开关作用

四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布

1. 稳定“关断”状态下基区少子分布:两个结均处于反偏，少子边界浓度趋于0说明：虽然基区平衡少子浓度nB0很小，为了描述少子分布形态，图中突出显示了nB0值。

半导体器件物理(I)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-1 BJT的开关作用

四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布

2. 临界放大状态下的基区少子分布:BE结正偏，BC结0偏

由于基区很薄，基区少子分布近似为斜直线。记基区少子电荷为QBS。说明：BC结0偏，nB(xB)=nB0。

由于实际nB0很小，图中忽略了nB0。

半导体器件物理(I)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-1 BJT的开关作用

四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布

3. 稳定“导通”状态下基区少子分布:

(1) 少子分布（简便分析方法的应用）

IC与少子分布斜直线的斜率成正比，IB与斜直线下方面积成正比。

稳定“导通”状态下，器件处于饱和状态，基极电流IB大于临界驱动电流IBS，因此基区少子分布nB(x)曲线下方面积比临界放大状态大得多。

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第5章BJT开关特性

知识点名称5-1 BJT的开关作用

四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布

3. 稳定“导通”状态下基区少子分布:(1) 少子分布（简便分析方法的应用）

与临界放大状态相比，IC基本不变，则少子分布nB(x)曲线斜率与临界放大状态相比基本相同。饱和状态nB(x)分布必然是临界放大状态下nB(x)分布斜直线的平行上移。

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