华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中
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3．1
分析：对于PMOS和NMOS管二极管连接形式的CS放大电路，最大的区别在于PMOS做负载无体效应，所以这里应该考虑gmb的影响。同时，由于L=0.5，沟道长度比较短，所以，沟长调制效应也应该考虑进去。
μnCOX?0?sio8.85?10?14?3.9?42 ?μn??350??1.34?10AV?4tOX9?102?5同理 μAV2 pCOX?3.835?10?W?1050?W?∵ ? ID1?ID2?0.5mA ??????L??L?0.50.5??2??1∴ ro1?ro2?1?NID?20K
ID2?gm1?gmb2??W?12????nCox?V?V1??NVDS2? VO = 1.46V GS2TH2???2?L?22?COXWLID?3.6?10?3A/V gm2?1.63?10?3A/V?2.38?10?4A/V
?gm222?F?VSB输出电阻:
ROUT?1gm2?gmb2?ro2?1//ro1?508?
∴增益 AV??gm1ROUT??1.85
M2换为PMOS管，则可忽略M2的体效应，同理可得
ROUT?1gm2?ro2?1//ro1?974?
∴增益 AV??gm1ROUT??0.85 3.2
?W??W?5050（a）∵ ? ID1?ID2?0.5mA ????????L?20.5?L?2??1∴ ro1?1?NID?20K ro2?1?PID2
?10K
又 μnCOX?0?sio?μn??1.34?10?4AV2tOX23
华中科技大学CMOS拉扎维第三章课后作业中文答案
