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2/3英寸——靶面尺寸为宽8.8mm*高6.6mm,对角线11mm。 1/2英寸——靶面尺寸为宽6.4mm*高4.8mm,对角线8mm。 1/3英寸——靶面尺寸为宽4.8mm*高3.6mm,对角线6mm。 1/4英寸——靶面尺寸为宽3.2mm*高2.4mm,对角线4mm。 4、按扫描制式划分

PAL制、NTSC制。 中用隔行扫描(PAL)制式(黑白为CCIR),标准为625行,50场,只有医疗或其它专业领域才用到一些非标准制式。另外,日本为NTSC制式,525行,60场(黑白为EIA)。 5、依供电电源划分

110VAC(NTSC制式多属此类); 220VAC 24VAC 12VDC

9VDC(微型摄像机多属此类)。 6、按同步方式划分

同步:用摄像机同步信号发生电路产生的同步信号来完成操作。

外同步:使用一个外同步信号发生器,将同步信号送入摄像机的外同步输入端。 功率同步(线性锁定,line lock):用摄像机AC电源完成垂直推动同步。 外VD同步:将摄像机信号电缆上的VD同步脉冲输入完成外VD同步。

多台摄像机外同步:对多台摄像机固定外同步,使每一台摄像机可以在同样的条件下作业,因各摄像机同步,这样即使其中一台摄像机转换到其他景物,同步摄像机的画面亦不会失真。

7、按照度划分,CCD又分为:

普通型 正常工作所需照度1~3LUX 月光型 正常工作所需照度0.1LUX左右 星光型 正常工作所需照度0.01LUX以下

红外型 采用红外灯照明,在没有光线的情况下也可以成像 8、按动态围分类

普通型:普通摄像机可提供3:1对比度的动态围(人眼可接受的对比度为1000:1) 宽动态:宽动态的摄像机要在非常强烈的光照对比下也能看到影像的细节。宽动态摄像机比传统只具有3:1动态围的摄像机超出了几十倍以上。 CCD和CMOS的区别

CCD传感器将信号电荷包按照一定的次序转移到一个公共的输出结构中,在这里信号电荷被转换为电压,同时作为一个缓冲区域将其送出。

CMOS图象传感器中,信号电荷到电压的转换在每个象素部进行。

尽管CCD表示“电荷耦合器件”而CMOS表示“互补金属氧化物半导体”, 从技术的角度比较,CCD与CMOS有如下四个方面的不同: 1.信息读取方式

CCD电荷耦合器存储的电荷信息,需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取,电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合,整个电路较为复杂。CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流(或电压)信号,信号读取十分简单。 2.速度

CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下,以行为单位一位一位地输出信息,速度较慢;而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号,还能同时处理各单元的图像信息,速度比CCD电荷耦合器快很多。这个优点使得CMOS传感器对于高帧摄像机非常有用,高帧速度能达到400到100000帧/秒。 3.电源及耗电量

CCD电荷耦合器大多需要三组电源供电,耗电量较大;CMOS光电传感器只需使用一个电源,耗电量非常小,仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10,CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。

4.成像质量

CCD电荷耦合器制作技术起步早,技术成熟,采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS光电传感器集成度高,各光电传感元件、电路之间距离很近,相互之间的光、电、磁干扰较严重,噪声对图像质量影响很大,使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用。近年,随着CMOS电路消噪技术的不断发展,为生产高密度优质的CMOS图像传感器提供了良好的条件。 此外,CCD与CMOS两种传感器在“部结构”和“外部结构”上都是不同的: 1.部结构(传感器本身的结构)

CCD的成像点为X-Y纵横矩阵排列,每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个邻近电荷存储区组成。光电二极管将光线(光量子)转换为电荷(电子),聚集的电子数量与光线的强度成正比。在读取这些电荷时,各行数据被移动到垂直电荷传输方向的缓存器中。每行的电荷信息被连续读出,再通过电荷/电压转换器和放大器传感。这种构造产生的图像具有低噪音、高性能的特点。但是生产CCD需采用时钟信号、偏压技术,因此整个构造复杂,增大了耗电量,也增加了成本。

CMOS传感器周围的电子器件,如数字逻辑电路、时钟驱动器以及模/数转换器等,可在同一加工程序中得以集成。CMOS传感器的构造如同一个存储器,每个成像点包含一个光电二极管、一个电荷/电压转换单元、一个重新设置和选择晶体管,以及一个放大器,覆盖在整个传感器上的是金属互连器(计时应用和读取信号)以及纵向排列的输出信号互连器,它可以通过简单的X-Y寻址技术读取信号。 2.外部结构(传感器在产品上的应用结构)

CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下,以行为单位一位一位地输出信息,速度较慢;而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号,还能同时处理各单元的图像信息,速度比CCD电荷耦合器快很多。

CMOS光电传感器的加工采用半导体厂家生产集成电路的流程,可以将数字相机的所有部件集成到一块芯片上,如光敏元件、图像信号放大器、信号读取电路、模数转换器、图像信号处理器及控制器等,都可集成到一块芯片上,还具有附加DRAM的优点。只需要一个芯片就可以实现很多功能,因此采用CMOS芯片的光电图像转换系统的整体成本很低。

CMOS传感器提供高集成度、低功耗和在保证图象质量(尤其是低照度下)前提下的更小的系统体积和一定的灵活性。它适合于对图象质量要求不高的大批量应用场合。这就决定了它最佳的应用场合是监控领域、视频会议、手持设备、条码扫描、传真、消费级扫描仪、玩具和汽车应用。CCD则提供更好的像质及系统的灵活性,它仍然是高端图象应用的首选,例如数码相机、广播电视、高性能工业图象应用以及绝大多数科学研究和医疗应用场合。更进一步,CCD由于其灵活性可以获得比CMOS器件更强系统差异。 2.2摄像机的工作原理及主要技术参数

Charge Coupled Device (CCD) 电荷耦合器件。CCD是一种半导体装置,能够把光学影像转化为数字信号。CCD芯片就像人的视网膜,是摄像头的核心。目前我国尚无能力制造,市场上大部分摄像头采用的是日本SONY、SHARP、松下、LG等公司生产的芯片,现在国也有能力生产,但质量就要稍逊一筹。 因为芯片生产时产生不同等级,各厂家获得途径不同等原因,造成CCD采集效果也大不相同。在购买时,可以采取如下方法检测:接通电源,连接视频电缆到监视器,关闭镜头光圈,看图像全黑时是否有亮点,屏幕上雪花大不大,这些是检测CCD芯片最简单直接的方法,而且不需要其它专用仪器。然后可以打开光圈,看一个静物,如果是彩色摄像头,最好摄取一个色彩鲜艳的物体,查看监视器上的图像是否偏色,扭曲,色彩或灰度是否平滑。好的CCD可以很好的还原景物的色彩,使物体看起来清晰自然;而残次品的图像就会有偏色现象,即使面对一白纸,图像也会显示蓝色或红色。个别CCD由于生产车间的灰

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2/3英寸——靶面尺寸为宽8.8mm*高6.6mm,对角线11mm。1/2英寸——靶面尺寸为宽6.4mm*高4.8mm,对角线8mm。1/3英寸——靶面尺寸为宽4.8mm*高3.6mm,对角线6mm。1/4英寸——靶面尺寸为宽3.2mm*高2.4mm,对角线4mm。4、按扫描制式划分PAL制、NTSC制。中用隔行扫描(PAL)制式(黑白为CCIR),标准为
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