66第5章6 - 提高开关速度的途径 - 图文

知识点名称半导体器件物理(1)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-3 BJT的开关参数

三、提高开关速度的主要技术途径

1. 减小基区宽度

可以减小导通状态下基区积累的电荷，特别是减小过饱和的少子电荷总数QBX，进而减小存储时间。

半导体器件物理(I)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-3 BJT的开关参数

三、提高开关速度的主要技术途径

２.减小少子寿命

其作用是加速基区积累少子的消失过程这一要求与提高电流放大系数的要求矛盾。因此放大用BJT与开关用BJT的加工工艺要求存在差别。

开关用BJT的工艺专门采用掺金工艺；而放大用BJT工艺中需要采取措施防止金等重金属原子进入器件。

半导体器件物理(I)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-3 BJT的开关参数

三、提高开关速度的主要技术途径

3. 减小结电容：

作用：减小势垒电容充放电时间。应尽量减小两个结的面积AE和AC。这一要求与提高频率特性要求一致。

半导体器件物理(I)

第5章BJT开关特性

知识点名称5-3 BJT的开关参数

三、提高开关速度的主要技术途径

4. 采用肖特基嵌位晶体管结构(1)肖特基嵌位晶体管的结构

通常储存时间ts是影响晶体管开关速度最主要的因素。存在大量的QBX是导致ts较长的原因。若在晶体管BC结并联一个肖特基二极管，则可以较好地解决这个问题。

这种结构器件又称为肖特基嵌位晶体管。

半导体器件物理(I)